[發明專利]一種低雜散電感的封裝結構

在審

• 申請號: 202011535551.X
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN112599506A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 戴志展;王宇航;李申祥
• 申請（專利權）人: 嘉興斯達半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/48;H01L23/498;H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 杭州九洲專利事務所有限公司 33101
• 代理人: 陳琦;陳繼亮

1.一種低雜散電感的封裝結構，包括芯片載體及固定在芯片載體頂部的芯片，且所述芯片載體及芯片的外表面包覆有用于封裝的塑封外殼，其特征在于：所述芯片載體為覆銅陶瓷基板，所述芯片主要包括上下并列鋪設的第一RC IGBT、第二RC IGBT及分別鋪設在兩RC IGBT上表面的第一銅橋和第二銅橋，所述第二RC IGBT的底部鋪設有第三銅橋并通過該銅橋固定設置在所述覆銅陶瓷基板上；所述第一RC IGBT的低電位側與第二RC IGBT的高點位側同側設置，所述第二銅橋設置在低電位側的第一RC IGBT和高電位側的第二RC IGBT之間并起連接和輸出作用， 所述第三銅橋延伸出塑封外殼的一端為輸入端口，所述第一銅橋和第二銅橋延伸出塑封外殼的一端分別為低電位側和高電位側的輸出端。

2.根據權利要求1所述的低雜散電感的封裝結構，其特征在于：所述第一銅橋、第二銅橋和第三銅橋通過并行方式在導體面鋪設，且各銅橋間的連線方向與主電路方向一致以降低雜散電感。

3.根據權利要求1或2所述的低雜散電感的封裝結構，其特征在于：所述覆銅陶瓷基板的底部設置有用于提升封裝結構散熱效果的金屬散熱板。

4.根據權利要求3所述的低雜散電感的封裝結構，其特征在于：所述第一RC IGBT和第二RC IGBT均采用貼片工藝進行堆疊。

5.根據權利要求3所述的低雜散電感的封裝結構，其特征在于：所述塑封外殼通過注入封裝膠材的方式對芯片載體及芯片進行封裝，且塑封外殼的最大高度不低于所述芯片的頂部。