[發(fā)明專利]芯片封裝結(jié)構(gòu)、芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法和顯示屏

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011533022.6
• 申請日: 2020-12-22
• 公開（公告）號: CN112802813A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梅嬿
• 申請（專利權(quán)）人: 頎中科技(蘇州)有限公司;合肥頎中封測技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 鐘揚飛

本申請涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)、芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法和顯示屏，本申請的芯片封裝結(jié)構(gòu)包括：芯片本體和至少一個封裝凸塊，封裝凸塊設(shè)于芯片本體；其中，封裝凸塊的材質(zhì)包括金屬，封裝凸塊背離于芯片本體的表面為平面。本申請通過將封裝凸塊背離于芯片本體的表面設(shè)為平面，且使芯片封裝結(jié)構(gòu)通過封裝凸塊焊接于導(dǎo)電基板，直接通過金屬材質(zhì)的封裝凸塊與導(dǎo)電基板進行導(dǎo)電連接，從而無需額外使用ACF膠進行導(dǎo)電連接，改善了芯片本體與導(dǎo)電基板的封裝質(zhì)量，盡可能地避免相鄰的兩個封裝凸塊之間的短路。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及芯片封裝的技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)、芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法和顯示屏。

背景技術(shù)

液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)的顯示屏越來越薄以及重量越來越輕已經(jīng)成為一種趨勢，通過玻璃上直接綁定驅(qū)動器芯片(Chip On Glass，COG)技術(shù)可以減小LCD的體積，從而廣泛應(yīng)用于通信終端、MP3等便攜式電子設(shè)備中。

現(xiàn)有技術(shù)中，驅(qū)動器IC芯片上的封裝用的金屬凸點(bump結(jié)構(gòu))為一種材質(zhì)組成的，且驅(qū)動器IC芯片與ITO基板的壓合主要靠ACF膠(異方性導(dǎo)電膠膜，AnisotropicConductive Film)實現(xiàn)。

由于ACF膠中的導(dǎo)電粒子是均勻分布于整個驅(qū)動器IC芯片與整個ITO基板之間，則隨著驅(qū)動器IC芯片與ITO基板之間的距離減小，使得相鄰的兩個bump結(jié)構(gòu)之間距離(Gap)變小，且ACF膠容易被擠壓到相鄰的兩個bump結(jié)構(gòu)之間，從而可能會造成相鄰的兩個bump結(jié)構(gòu)之間的短路。

發(fā)明內(nèi)容

本申請的目的是提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)、芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法和顯示屏，其能夠改善芯片本體與導(dǎo)電基板的封裝質(zhì)量。

為了實現(xiàn)上述目的，

第一方面，本發(fā)明提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：芯片本體和至少一個封裝凸塊，所述封裝凸塊設(shè)于所述種子層背離所述芯片本體的表面；其中，所述封裝凸塊的材質(zhì)包括金屬，所述封裝凸塊背離于所述芯片本體的表面為平面。

于一實施例中，所述芯片本體表面上設(shè)有至少一個種子層，每個所述封裝凸塊均包括：金屬導(dǎo)通層、阻隔層和焊接層，所述金屬導(dǎo)通層設(shè)于一所述種子層背離所述芯片本體的表面；所述阻隔層設(shè)于所述金屬導(dǎo)通層背離所述種子層的表面；所述焊接層設(shè)于所述阻隔層背離所述金屬導(dǎo)通層的表面。

于一實施例中，所述金屬導(dǎo)通層的材質(zhì)包括金、銅、含金合金或者含銅合金；所述阻隔層的材質(zhì)包括鎳或者含鎳合金；所述焊接層的材質(zhì)包括銦或者含銦合金。

于一實施例中，所述封裝凸塊還包括：防氧化層，所述防氧化層設(shè)于所述焊接層背離所述阻隔層的表面。

于一實施例中，所述芯片本體包括：焊墊和焊墊護層，所述焊墊護層設(shè)于所述焊墊；其中，每個所述種子層均位于所述焊墊和/或所述焊墊護層的表面。

于一實施例中，所述焊墊護層形成至少一個凹穴；其中，每個所述種子層設(shè)于一所述凹穴內(nèi)，且每個所述種子層均位于所述焊墊和所述焊墊護層的表面。

第二方面，本發(fā)明提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：

提供芯片本體；

在所述芯片本體上形成種子層；

在所述種子層上形成光刻膠層；

光刻所述光刻膠層形成溝槽，所述溝槽延伸至所述種子層表面；

在所述溝槽內(nèi)且在所述種子層上電鍍形成封裝凸塊；

去除所述光刻膠層；

刻蝕所述種子層，保留位于所述封裝凸塊處的所述種子層。

于一實施例中，所述在所述溝槽內(nèi)且在所述種子層上電鍍形成封裝凸塊，包括：