[發明專利]基于銅襯印制板技術的星用超寬帶混合集成電路實現方法在審
| 申請號: | 202011531131.4 | 申請日: | 2020-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN112701048A | 公開(公告)日: | 2021-04-23 |
| 發明(設計)人: | 王忠雷;馬偉男;李文帥;陸平;陳翔;朱海青;鞏峰;池少騰;張睿杰 | 申請(專利權)人: | 中國航天科工集團八五一一研究所 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L27/02 |
| 代理公司: | 南京理工大學專利中心 32203 | 代理人: | 朱沉雁 |
| 地址: | 210007 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 印制板 技術 星用超 寬帶 混合 集成電路 實現 方法 | ||
本發明公開了一種基于銅襯印制板技術的星用超寬帶混合集成電路實現方法,使用銅襯印制板結合簡單的工藝以及緊固方式完成微波電路超寬帶、小型化、高可靠性實現,具體步驟如下:步驟1、根據電路功能設計電路圖,選擇所需的微波元器件、芯片;步驟2、微波元器件以及芯片必須保證有獨立的氣密封裝,在星用平臺情況下不允許選用塑封類器件,針對裸芯片要求廠家進行二次封裝處理;步驟3、根據工作頻段需要選擇合適的微波電路板,其銅襯的厚度不小于0.5mm,以保證印制板的強度;步驟4、采用SMT工藝對微波電路板進行焊接,使用螺釘緊固工藝完成電路板與金屬盒體的裝配構成模塊;步驟5、對模塊進行性能測試。
技術領域
本發明屬于星用微波電路小型化設計領域,具體涉及一種基于銅襯印制板技術的星用超寬帶混合集成電路實現方法。
背景技術
近年來星載平臺應用條件下的電子產品對微波電路的小型化和輕質化提出了嚴苛的要求。其中微波電路的高密度集成與電路硬件的高可靠性要求的矛盾是研究和電路實施難點、重點。依托微波元器件、制造工藝和裝配工藝的發展,星載微波電路小型化近年來發展迅速,主要技術途徑是通過微波裸芯片、多功能芯片的大量應用,配合導電膠粘接、金錫焊接工藝來實現。由于裸芯片自身長時間暴露在空氣中會有極高的失效風險,因此又需要額外的引入平行縫焊、激光封焊等氣密封工藝。微波電路裸芯片的實現方式會引入多個復雜的工藝環節,在星載應用場景下具有可靠性方面的風險,且產品可測試性、維修性較差。
發明內容
本發明的目的在于提供一種基于銅襯印制板技術的星用超寬帶混合集成電路實現方法,采用銅襯板微波多層板技術有效減小了模塊的尺寸和重量,采用銅襯板微波多層板技術有效減小了模塊的尺寸和重量。
實現本發明目的的技術解決方案為:一種基于銅襯印制板技術的星用超寬帶混合集成電路實現方法,使用銅襯印制板結合簡單的工藝以及緊固方式完成微波電路超寬帶、小型化、高可靠性實現,具體步驟如下:
步驟1、根據電路功能設計電路圖,選擇所需的微波元器件、芯片;
步驟2、微波元器件以及芯片必須保證有獨立的氣密封裝,在星用平臺情況下不允許選用塑封類器件,針對裸芯片要求廠家進行二次封裝處理;
步驟3、根據工作頻段需要選擇合適的微波電路板,其銅襯的厚度不小于0.5mm,以保證印制板的強度;
步驟4、采用SMT工藝對微波電路板進行焊接,使用螺釘緊固工藝完成電路板與金屬盒體的裝配構成模塊;
步驟5、對模塊進行性能測試。
本發明與現有技術相比,其顯著優點在于:本發明采用銅襯印制板工藝、微波器件微封裝技術配合傳統SMT焊接工藝技術實現了寬帶射頻模塊的小型化,滿足了在星載設備對射頻電路高集成度、高可靠性等方面的要求。填補國內在此類設備的空缺。
附圖說明
圖1為本發明的方法流程圖。
圖2為本發明對應射頻模塊的總體框圖。
圖3為寬帶射頻模塊典型頻段S參數實測結果曲線圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明作進一步詳細描述。
結合圖1,一種基于銅襯印制板技術的星用超寬帶混合集成電路實現方法,使用銅襯印制板結合簡單的工藝以及緊固方式完成微波電路超寬帶、小型化、高可靠性實現,具體步驟如下:
步驟1、根據電路功能設計電路圖,并選擇所需的微波元器件、芯片;
步驟2、微波元器件以及芯片必須保證有獨立的氣密封裝,在星用平臺情況下不允許選用塑封類器件,針對裸芯片需要進行二次封裝處理。
微波元器件選用獨立氣密封裝,封裝需在滿足星載氣密封要求的基礎上,在封裝材料、工藝、體積、抗輻照多方面綜合考慮,在保證元器件電性能的基礎上確保滿足星載應用要求。微波元器件以及芯片優選金屬陶瓷封裝器件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





