[發明專利]封裝結構與封裝結構的制作方法

在審

• 申請號: 202011531062.7
• 申請日: 2020-12-22
• 公開（公告）號: CN113140660A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 梁凱杰;邱國銘;鄭偉德;蔡杰廷
• 申請（專利權）人: 光寶光電（常州）有限公司;光寶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62
• 代理公司: 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446
• 代理人: 張莎莎;謝清萍

本申請公開一種封裝結構與封裝結構的制作方法。封裝結構包括基板、墻體、光電組件、內覆層以及外覆層。墻體設置在基板上，且墻體與基板之間形成一容置空間。光電組件設置在基板上。光電組件包括一P型接面層與一N型接面層，且P型接面層與N型接面層之間具有一間隙。內覆層設置在P型接面層與N型接面層之間的間隙中。外覆層是披覆在基板的上表面、墻體的內表面以及光電組件的外表面。

技術領域

本申請涉及一種封裝結構與封裝結構的制作方法，特別是涉及一種在PN接面之間具有內覆層的封裝結構與封裝結構的制作方法。

背景技術

目前，深紫外光發光二極管(UVC LED)封裝結構中，發光二極管的PN接面通常會裸露出來，造成PN接面之間的懸鍵產生，影響封裝結構的整體穩定性。此外，容易影響封裝結構的整體穩定性大多是采用其金錫(AuSn)作為固晶膠。金錫在封裝結構的工藝中雖然穩定，但卻有工藝溫度較高且熱傳導系數較低的缺點。然而，若以其他材料取代金錫，例銀材料，雖可解決金錫的缺點，但卻又會產生銀遷移現象(migration)而造成電路短路。

故，如何通過結構設計的改良，以減少懸鍵的產生，并且防止金屬遷移現象，來克服上述的缺陷，已成為該項事業所欲解決的重要課題之一。

發明內容

本申請所要解決的技術問題在于，針對現有技術的不足提供一種封裝結構，其包括基板、墻體、光電組件、內覆層以及外覆層。墻體設置在基板上，墻體與基板之間形成一容置空間。光電組件位于容置空間，光電組件設置在基板上，光電組件包括一P型接面層與一N型接面層，且P型接面層與N型接面層之間具有一間隙。內覆層設置在P型接面層與N型接面層之間的間隙中，內覆層覆蓋P型接面層與N型接面層的相對二內表面。外覆層設置在容置空間，外覆層是披覆在基板的上表面、墻體的內表面以及光電組件的外表面。

為了解決上述的技術問題，本申請所采用的其中一技術方案是提供一種封裝結構的制作方法，其包括：提供一載體，載體包括墻體與兩個金屬墊，墻體內部圍繞兩個金屬墊設置，且兩個金屬墊之間具有溝槽；將一固態填充材料填入溝槽；將一光電組件設置在兩個金屬墊上，光電組件包括P型接面層與N型接面層，P型接面層與N型接面層之間具有對應溝槽的一間隙；進行第一烘烤工藝，將填充材料由固態轉變為熔融態，形成一內覆層，內覆層覆蓋溝槽及間隙的表面；提供一第二填充材料填入墻體內部；進行一二烘烤工藝，使第二填充材料形成一外覆層，外覆層是披覆在基板的上表面、墻體的內表面以及光電組件的外表面。

本申請的其中一有益效果在于，本申請所提供的封裝結構，其能通過“內覆層覆蓋P型接面層與N型接面層的相對二內表面”以及“外覆層是披覆在基板的上表面、墻體的內表面以及光電組件的外表面”的技術方案，以減少懸鍵的產生，并且防止金屬遷移現象。

本申請的另一有益效果在于，本申請所提供的封裝結構的制作方法，其能通過“進行第一烘烤工藝，將填充材料由固態轉變為熔融態，形成一內覆層，內覆層覆蓋溝槽與間隙的表面”以及“進行一二烘烤工藝，使第二填充材料形成一外覆層，外覆層是披覆在基板的上表面、墻體的內表面以及光電組件的外表面”的技術方案，以減少懸鍵的產生，并且防止金屬遷移現象。

為使能更進一步了解本申請的特征及技術內容，請參閱以下有關本申請的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅用于提供參考與說明，并非用來對本申請加以限制。

附圖說明

圖1為本申請的封裝結構的一實施態樣的示意圖。

圖2為圖1的封裝結構加上透鏡組件的示意圖。

圖3為本申請的封裝結構的另一實施態樣的示意圖。

圖4為圖1的封裝結構在形成時填充第一材料的的示意圖。

圖5為圖1的封裝結構在形成時設置光電組件的第一示意圖。

圖6為圖1的封裝結構在形成時設置光電組件的第二示意圖。