[發明專利]封裝結構與封裝結構的制作方法

在審

• 申請號: 202011531062.7
• 申請日: 2020-12-22
• 公開（公告）號: CN113140660A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 梁凱杰;邱國銘;鄭偉德;蔡杰廷
• 申請（專利權）人: 光寶光電（常州）有限公司;光寶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62
• 代理公司: 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446
• 代理人: 張莎莎;謝清萍

1.一種封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括：

一基板；

一墻體，設置在所述基板上，所述墻體與所述基板之間形成一容置空間；

一光電組件，位于所述容置空間，所述光電組件設置在所述基板上，所述光電組件包括一P型接面層與一N型接面層，且所述P型接面層與所述N型接面層之間具有一間隙；

一內覆層，設置在所述P型接面層與所述N型接面層之間的間隙中；以及

一外覆層，所述外覆層是披覆在所述基板的上表面、所述墻體的內表面以及所述光電組件的外表面。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述基板包括兩個金屬墊，所述光電組件設置在對應兩個所述金屬墊上，且所述P型接面層與所述N型接面層分別電性連接兩個所述金屬墊，且其中，兩個所述金屬墊之間具有一與所述間隙相對應的溝槽，所述內覆層同時覆蓋所述溝槽的表面與所述P型接面層與所述N型接面層的相對二內表面。

3.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還進一步包括：二個固晶膠，分別設置在所述P型接面層與其中一所述金屬墊之間以及所述N型接面層與另一所述金屬墊之間，且所述內覆層覆蓋兩個相鄰所述固晶膠的內表面。

4.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述固晶膠包括銀材料，所述銀材料占所述固晶膠的材料的重量百分比為70％以上。

5.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述外覆層披覆在所述光電組件的外表面的頂部厚度與所述外覆層披覆在所述光電組件的外表面的側邊厚度之間的比值介于1.2至2.2之間，所述外覆層披覆在所述基板上表面的厚度與所述外覆層披覆在所述光電組件的外表面上的頂部厚度的比值介于1至1.5之間。

6.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述墻體的高度介于所述光電組件的高度的40％～60％。

7.根據權利要求1至6任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述內覆層的伸長率為160％-192％。

8.根據權利要求7所述的封裝結構，其特征在于，所述內覆層的組成材料包括碳氟化合物。

9.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于，所述外覆層的組成材料包括碳氟化合物。

10.一種封裝結構的制作方法，其特征在于，所述封裝結構的制作方法包括：

提供一載體，所述載體包括一墻體與兩個金屬墊，所述墻體圍繞所述兩個金屬墊設置，且所述兩個金屬墊之間具有一溝槽；

將一填充材料填入所述溝槽，其中，所述填充材料為固態；

將一光電組件設置在兩個所述金屬墊上，所述光電組件包括一P型接面層與一N型接面層，所述P型接面層與所述N型接面層之間具有對應所述溝槽的一間隙；

進行一第一烘烤工藝，將所述填充材料由固態轉變為熔融態，形成一內覆層，所述內覆層覆蓋所述溝槽及所述間隙的表面；

提供一第二填充材料填入所述墻體內部；以及

進行一第二烘烤工藝，使所述第二填充材料形成一外覆層，所述外覆層是披覆在所述基板的上表面、所述墻體的內表面以及所述光電組件的外表面。

11.根據權利要求10所述的封裝結構的制作方法，其特征在于，所述光電組件藉由一固晶膠設置金屬墊上，所述內覆層覆蓋所述固晶膠的內表面，所述固晶膠包括銀材料，所述銀材料占所述固晶膠的材料的重量百分比為70％以上。

12.根據權利要求11所述的封裝結構的制作方法，其特征在于，所述第一烘烤工藝包含兩次的烘烤步驟，第一次烘烤步驟的烘烤溫度介于攝氏溫度180度～200度之間。所述第二次烘烤步驟的烘烤溫度介于攝氏溫度220度～250度之間。