[發明專利]一種芯片的封裝結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202011528287.7
• 申請日: 2020-12-22
• 公開（公告）號: CN112670185A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 張文斌
• 申請（專利權）人: 廈門通富微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 北京中知法苑知識產權代理有限公司 11226
• 代理人: 李明;趙吉陽

本發明提供一種芯片的封裝結構及其制備方法，方法包括：提供承載片；在所述承載片沿其厚度方向的第一表面形成金屬盲孔；在所述承載片的所述第一表面形成第一鈍化層，圖形化所述第一鈍化層以形成過孔；在所述圖形化后的第一鈍化層上形成金屬凸塊，所述金屬凸塊通過所述過孔與所述金屬盲孔電連接，以制備得到封裝結構。本發明通過在承載片上設計出金屬盲孔、第一鈍化層和金屬凸塊，金屬凸塊通過設置在第一鈍化層上的過孔與金屬盲孔電連接，可以使金屬盲孔的厚度超過20μm，金屬盲孔的厚度范圍可以達到30μm～100μm，降低了對鈍化層厚度的要求，使較薄的鈍化層即可完全覆蓋金屬盲孔，從而防止因金屬盲孔與上層金屬發生短接而導致器件失效。

技術領域

本發明屬于芯片封裝技術領域，具體涉及一種芯片的封裝結構及其制備方法。

背景技術

隨著電子產品的多樣化，各種尺寸的器件都有需求，微米級線寬的濾波器、變壓器、電容、電感等器件的制備，受限于鈍化層材料的厚度，通常下層金屬層的厚度不能超過20μm。當下層金屬層的厚度超過20μm時，上下金屬層之間的鈍化層無法覆蓋住下層金屬層，下層金屬層與上層金屬層之間會發生短接的情況，從而導致器件性能失效。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提供一種芯片的封裝結構及其制備方法。

本發明的一個方面，提供一種芯片的封裝結構的制備方法，所述方法包括：

提供承載片；

在所述承載片沿其厚度方向的第一表面形成金屬盲孔；

在所述承載片的所述第一表面形成第一鈍化層，圖形化所述第一鈍化層以形成過孔；

在所述圖形化后的第一鈍化層上形成金屬凸塊，所述金屬凸塊通過所述過孔與所述金屬盲孔電連接，以制備得到封裝結構。

在一些可選地實施方式中，所述第一鈍化層的層數為多層，所述在所述圖形化后的第一鈍化層上形成金屬凸塊，所述金屬凸塊通過所述過孔與所述金屬盲孔電連接，包括：

在圖形化后的除最頂層所述第一鈍化層之外的其余第一鈍化層上形成金屬布線，各層所述金屬布線通過對應的所述過孔與所述金屬盲孔電連接；

在圖形化后的最頂層所述第一鈍化層上形成所述金屬凸塊，所述金屬凸塊通過所述最頂層第一鈍化層上的所述過孔、各層所述金屬布線與所述金屬盲孔電連接。

在一些可選地實施方式中，所述金屬盲孔的厚度范圍為30μm～100μm。

在一些可選地實施方式中，所述多層第一鈍化層中的最底層第一鈍化層的厚度大于等于5μm。

在一些可選地實施方式中，所述多層第一鈍化層中的所述最底層第一鈍化層的厚度范圍為5μm～20μm。

在一些可選地實施方式中，所述方法還包括：

在所述金屬凸塊上形成第二鈍化層，圖形化所述第二鈍化層以形成與所述金屬凸塊相對應的第二過孔；

在所述第二過孔中形成焊球。

本發明的另一個方面，提供一種芯片的封裝結構，所述封裝結構包括：

承載片，所述承載片沿其厚度方向的第一表面設置有金屬盲孔；

第一鈍化層，所述第一鈍化層覆蓋所述金屬盲孔，所述第一鈍化層上設置有過孔，所述過孔與所述金屬盲孔相對應；

金屬凸塊，所述金屬凸塊設置在所述第一鈍化層上，所述金屬凸塊通過所述過孔與所述金屬盲孔電連接。

在一些可選地實施方式中，所述第一鈍化層的層數為多層；