[發明專利]一種芯片的封裝結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202011528287.7
• 申請日: 2020-12-22
• 公開（公告）號: CN112670185A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 張文斌
• 申請（專利權）人: 廈門通富微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 北京中知法苑知識產權代理有限公司 11226
• 代理人: 李明;趙吉陽

1.一種芯片的封裝結構的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供承載片；

在所述承載片沿其厚度方向的第一表面形成金屬盲孔；

在所述承載片的所述第一表面形成第一鈍化層，圖形化所述第一鈍化層以形成過孔；

在所述圖形化后的第一鈍化層上形成金屬凸塊，所述金屬凸塊通過所述過孔與所述金屬盲孔電連接，以制備得到封裝結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一鈍化層的層數為多層，所述在所述圖形化后的第一鈍化層上形成金屬凸塊，所述金屬凸塊通過所述過孔與所述金屬盲孔電連接，包括：

在圖形化后的除最頂層所述第一鈍化層之外的其余第一鈍化層上形成金屬布線，各層所述金屬布線通過對應的所述過孔與所述金屬盲孔電連接；

在圖形化后的最頂層所述第一鈍化層上形成所述金屬凸塊，所述金屬凸塊通過所述最頂層第一鈍化層上的所述過孔、各層所述金屬布線與所述金屬盲孔電連接。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述金屬盲孔的厚度范圍為30μm～100μm。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述多層第一鈍化層中的最底層第一鈍化層的厚度大于等于5μm。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述多層第一鈍化層中的所述最底層第一鈍化層的厚度范圍為5μm～20μm。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述金屬凸塊上形成第二鈍化層，圖形化所述第二鈍化層以形成與所述金屬凸塊相對應的第二過孔；

在所述第二過孔中形成焊球。

7.一種芯片的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括：

承載片，所述承載片沿其厚度方向的第一表面設置有金屬盲孔；

第一鈍化層，所述第一鈍化層覆蓋所述金屬盲孔，所述第一鈍化層上設置有過孔，所述過孔與所述金屬盲孔相對應；

金屬凸塊，所述金屬凸塊設置在所述第一鈍化層上，所述金屬凸塊通過所述過孔與所述金屬盲孔電連接。

8.根據權利要求7所述的封裝結構，其特征在于，所述第一鈍化層的層數為多層；

在除最頂層所述第一鈍化層之外的其余第一鈍化層上均設置有金屬布線，各層所述金屬布線通過對應的所述過孔與所述金屬盲孔電連接；

所述金屬凸塊設置在最頂層所述第一鈍化層上，所述金屬凸塊通過所述最頂層第一鈍化層上的所述過孔、各層所述金屬布線與所述金屬盲孔電連接。

9.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬盲孔的厚度范圍為30μm～100μm；和/或，

所述多層第一鈍化層中的最底層第一鈍化層的厚度范圍為5μm～20μm。

10.根據權利要求7至9任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：

第二鈍化層，所述第二鈍化層覆蓋所述金屬凸塊，所述第二鈍化層上設置有與所述金屬凸塊相對應的第二過孔；

焊球，所述焊球設置在所述第二過孔中。