[發明專利]一種銀面碳化硅二極管表面鈍化加工工藝

在審

• 申請號: 202011528189.3
• 申請日: 2020-12-22
• 公開（公告）號: CN112652533A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 楊勇;張光亞;朱勇華;付國振
• 申請（專利權）人: 深圳市美浦森半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L29/861;H01L29/16;H01L29/06
• 代理公司: 中山市科企聯知識產權代理事務所(普通合伙) 44337
• 代理人: 楊立銘

本發明提供的一種銀面碳化硅二極管表面鈍化加工工藝，包括以下步驟：S10.在二極管的表面通過金屬掩模版曝光刻蝕正面金屬鋁層；S20.在金屬鋁層上沉積一層等離子PE氮化硅層，通過鈍化掩膜版曝光各向同性干法刻蝕等離子PE氮化硅層，形成器件終端表面鈍化結構；S30.在器件終端表面鈍化結構上蒸發一復合金屬鈦鎳銀層；S40.通過金屬掩模版曝光刻蝕復合金屬鈦鎳銀層，形成器件銀面正電極。與傳統各項異性干法刻蝕相比保證了復合金屬鈦鎳銀TI?NI?AG與金屬鋁在器件終端處的粘附性，避免了金屬鈦鎳銀的脫落，同時此方案成本低。

技術領域

本發明屬于二極管技術領域，尤其涉及一種銀面碳化硅二極管表面鈍化加工工藝。

背景技術

現在，對于高性能高可靠性的碳化硅二極管來說，表面鈍化已成為不可缺少的工藝措施之一，表面鈍化工藝主要就是在器件終端表面覆蓋保護介質膜，防止器件終端結構中的氧化層吸附環境中的水汽以及封裝對終端的影響，從而提升改善器件的可靠性。但是現有的在鈦鎳銀TI-NI-AG表面涂覆聚酰亞胺工藝成本較高。

綜上，現亟需一種能夠解決上述技術問題，通過在金屬鋁AL與鈦鎳銀TI-NI-AG夾層之間淀積PE氮化硅，從而來克服上述問題。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足之處，本發明的目的在于提供一種銀面碳化硅二極管表面鈍化加工工藝旨在解決現有技術的傳統工藝成本較高的問題。

為了達到上述目的，本發明采取了以下技術方案：

一種銀面碳化硅二極管表面鈍化加工工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S10.在二極管的表面通過金屬掩模版曝光刻蝕正面金屬鋁層；

S20.在金屬鋁層上沉積一層等離子PE氮化硅層，通過鈍化掩膜版曝光各向同性干法刻蝕等離子PE氮化硅層，形成器件終端表面鈍化結構；

S30.在器件終端表面鈍化結構上蒸發一復合金屬鈦鎳銀層；

S40.通過金屬掩模版曝光刻蝕復合金屬鈦鎳銀層，形成器件銀面正電極。

優選的，步驟S10中的金屬鋁層的厚度為3～4微米。

優選的，所述等離子PE氮化硅層的厚度為0.5～1微米。

優選的，所述復合金屬鈦鎳銀層厚度為0.1-0.5-0.6微米。

與現有技術相比，本發明的有益效果：

本發明提供的一種銀面碳化硅二極管表面鈍化加工工藝，包括以下步驟：S10.在二極管的表面通過金屬掩模版曝光刻蝕正面金屬鋁層；S20.在金屬鋁層上沉積一層等離子PE氮化硅層，通過鈍化掩膜版曝光各向同性干法刻蝕等離子PE氮化硅層，形成器件終端表面鈍化結構；S30.在器件終端表面鈍化結構上蒸發一復合金屬鈦鎳銀層；S40.通過金屬掩模版曝光刻蝕復合金屬鈦鎳銀層，形成器件銀面正電極。與傳統各項異性干法刻蝕相比保證了復合金屬鈦鎳銀TI-NI-AG與金屬鋁在器件終端處的粘附性，避免了金屬鈦鎳銀的脫落，同時此方案成本低。

附圖說明

圖1為本發明的銀面碳化硅二極管表面鈍化加工工藝的流程框圖。

具體實施方式

為使本發明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實施例對本發明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

如附圖1所示，本發明提供的一種銀面碳化硅二極管表面鈍化加工工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S10.在二極管的表面通過金屬掩模版曝光刻蝕正面金屬鋁層；