[發(fā)明專利]一種銀面碳化硅二極管表面鈍化加工工藝

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011528189.3
• 申請(qǐng)日: 2020-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN112652533A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊勇;張光亞;朱勇華;付國(guó)振
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/329
• 分類號(hào): H01L21/329;H01L29/861;H01L29/16;H01L29/06
• 代理公司: 中山市科企聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44337
• 代理人: 楊立銘

1.一種銀面碳化硅二極管表面鈍化加工工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S10.在二極管的表面通過金屬掩模版曝光刻蝕正面金屬鋁層；

S20.在金屬鋁層上沉積一層等離子PE氮化硅層，通過鈍化掩膜版曝光各向同性干法刻蝕等離子PE氮化硅層，形成器件終端表面鈍化結(jié)構(gòu)；

S30.在器件終端表面鈍化結(jié)構(gòu)上蒸發(fā)一復(fù)合金屬鈦鎳銀層；

S40.通過金屬掩模版曝光刻蝕復(fù)合金屬鈦鎳銀層，形成器件銀面正電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀面碳化硅二極管表面鈍化加工工藝，其特征在于，步驟S10中的金屬鋁層的厚度為3～4微米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀面碳化硅二極管表面鈍化加工工藝，其特征在于，所述等離子PE氮化硅層的厚度為0.5～1微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀面碳化硅二極管表面鈍化加工工藝，其特征在于，所述復(fù)合金屬鈦鎳銀層厚度為0.1-0.5-0.6微米。