[發明專利]一種內嵌式的面板結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202011525914.1
• 申請日: 2020-12-22
• 公開（公告）號: CN112652650A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 陳宇懷;黃志杰
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77;G06F3/044;G06F3/041
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 林祥翔;徐劍兵

1.一種內嵌式的面板結構的制作方法，其特征在于，包括步驟：

將基板分為透光電容區、TFT區和基板區；

在所述基板上依次制作第一透光導電層和柵極金屬層，并于所述柵極金屬層上制作第一絕緣層；

曝光顯影去除所述基板區上的所述第一絕緣層，并去除透光電容區上的上部分所述第一絕緣層；

蝕刻去除基板區上的所述第一透光導電層和柵極金屬層；

通過灰化處理去除透光電容區上剩余的所述第一絕緣層，蝕刻透光電容區上的所述柵極金屬層；

去除位于所述TFT區上的第一絕緣層；

制作第二絕緣層；并于所述第二絕緣層上制作有源層，所述有源層位于所述柵極金屬層上方；

依次制作第二透光導電層和源漏極金屬層，并于源漏極金屬層上制作第三絕緣層；

曝光顯影去除所述基板區以及所述有源層中部上方的所述第三絕緣層；并去除透光電容區上的上部分所述第三絕緣層；

蝕刻去除基板區以及所述有源層中部上的所述第二透光導電層和源漏極金屬層；

通過灰化處理去除位于透光電容區所述第二透光導電層上剩余的所述第三絕緣層；

蝕刻透光電容區上的所述源漏極金屬層，形成位于所述有源層兩側的源極金屬層和漏極金屬層；

去除位于所述TFT區上的第三絕緣層。

2.根據權利要求1所述一種內嵌式的面板結構的制作方法，其特征在于，所述透光電容區與TFT區連通。

3.根據權利要求1所述一種內嵌式的面板結構的制作方法，其特征在于，采用半色掩膜板對所述第一絕緣層和所述第三絕緣層進行曝光顯影；

所述半色掩膜板包括：第一透光區、第二透光區和第三透光區；所述第一透光區的透光率為100％，第三透光區的透光率為0％，而第二透光區的透光率介于第一透光區的透光率和第三透光區的透光率之間。

4.根據權利要求1所述一種內嵌式的面板結構的制作方法，其特征在于，還包括步驟：

制作第四絕緣層；并于所述第四絕緣層上制作第一通孔，所述第一通孔以所述源極金屬層或漏極金屬層為底；

制作平坦層，并于所述平坦層上制作第二通孔，所述第二通孔與所述第一通孔相導通；

制作透光陽極，所述透光陽極通過第一通孔和第二通孔與所述源極金屬層或漏極金屬層連接；

制作畫素定義層，并曝光顯影所述畫素定義層，形成以所述透光陽極為底的第三通孔，所述第三通孔置于所述透光電容區；

制作發光層，所述發光層置于所述第二通孔內；并于發光層以及畫素定義層上制作陰極。

5.根據權利要求1所述一種內嵌式的面板結構的制作方法，其特征在于，在所述依次制作第一透光導電層和柵極金屬層步驟前，還包括步驟：

在基板上制作多個第一導電膜層，多個所述第一導電膜層陣列設置于所述基板上；

制作第五絕緣層，所述第五絕緣層覆蓋于多個所述第一導電膜層上。

6.根據權利要求1所述一種內嵌式的面板結構的制作方法，其特征在于，在所述依次制作第一透光導電層和柵極金屬層步驟前，還包括步驟：

在基板上制作多個第二導電膜層，多個所述第二導電膜層陣列設置于所述基板上；

制作第六絕緣層，并去除位于所述第二導電膜層之間的所述第六絕緣層；

制作第三導電膜層，并于所述第三導電膜層上制作第七絕緣層。