[發(fā)明專(zhuān)利]一種內(nèi)嵌式的面板結(jié)構(gòu)及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011525914.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112652650A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-04-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳宇懷;黃志杰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/32 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/32;H01L21/77;G06F3/044;G06F3/041 |
| 代理公司: | 福州市景弘專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;徐劍兵 |
| 地址: | 351100 福*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 內(nèi)嵌式 面板 結(jié)構(gòu) 及其 制作方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種內(nèi)嵌式的面板結(jié)構(gòu)及其制作方法:制作第一透光導(dǎo)電層和柵極金屬層,制作第一絕緣層;去除基板區(qū)上第一絕緣層,去除透光電容區(qū)上的上部分第一絕緣層;去除第一透光導(dǎo)電層和柵極金屬層;灰化處理第一絕緣層,蝕刻?hào)艠O金屬層,去除第一絕緣層;制作第二絕緣層;制作有源層;制作第二透光導(dǎo)電層和源漏極金屬層,制作第三絕緣層;去除基板區(qū)以及有源層中部上方的第三絕緣層;去除透光電容區(qū)上的上部分第三絕緣層;去除第二透光導(dǎo)電層和源漏極金屬層;去除第三絕緣層;蝕刻源漏極金屬層;去除第三絕緣層。通過(guò)增設(shè)透光電容區(qū),使發(fā)光層可以不設(shè)空白避讓區(qū),光線直接從透光電容區(qū)射出,從而可以縮小單個(gè)像素面積,提高顯示區(qū)域開(kāi)口率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及觸控顯示屏領(lǐng)域,尤其涉及一種內(nèi)嵌式的面板結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)
隨著顯示技術(shù)的日益發(fā)展,各種新型技術(shù)不斷涌現(xiàn),透明顯示技術(shù)因其透明的顯示面板這一特性及其獨(dú)特的應(yīng)用,越來(lái)越受到人們的關(guān)注,薄型化及透明化顯示是未來(lái)顯示發(fā)展的趨勢(shì)。
目前應(yīng)用在AMOLED面板中觸控技術(shù)主要分為Out-Cell、In-Cell和On-Cell三種類(lèi)型。外掛式觸控技術(shù)(Out-cell)是由觸控廠商主導(dǎo),該技術(shù)主要可分為玻璃方式和薄膜方式,將觸控感應(yīng)器位于蓋板玻璃和顯示模組中間,缺點(diǎn)是厚度較厚,不符合顯示器輕薄化的發(fā)展方向。
In-Cell將觸控模塊內(nèi)嵌于AMOLED面板中,On Cell是指將觸摸屏嵌入到顯示屏和偏光片之間的方法,即在顯示面板上配觸摸傳感器;In-Cell節(jié)省了玻璃成本和貼合成本,使得模組重量輕,透光度高,更滿(mǎn)足顯示面板對(duì)品質(zhì)的要求。但是將觸控傳感器嵌入到像素中的同時(shí)也必須將配套的觸控集成電路嵌入其中,否則很容易導(dǎo)致錯(cuò)誤的觸控感測(cè)訊號(hào)或者過(guò)大的噪音,制程工藝的復(fù)雜度和難度巨大。OLED中有機(jī)層均采用蒸鍍法附膜,技術(shù)要求高、難度大,所以良率也較低,在蒸鍍結(jié)構(gòu)中再增加一層觸控IC必將進(jìn)一步降低良率,故當(dāng)前OLED面板內(nèi)嵌式觸控尚待突破。
開(kāi)口率指除去每一個(gè)次像素的配線部、晶體管部(通常采用黑色矩陣隱藏)后的光線通過(guò)部分的面積和每一個(gè)次像素整體的面積之間的比例。開(kāi)口率越高,光線通過(guò)的效率越高。當(dāng)光線經(jīng)由背光板發(fā)射出來(lái)時(shí),并不是所有的光線都能穿過(guò)面板,比如給LCD源極驅(qū)動(dòng)芯片及柵極驅(qū)動(dòng)芯片用的信號(hào)走線,以及TFT本身,還有儲(chǔ)存電壓用的儲(chǔ)存電容等。這些地方除了不完全透光外,也由于經(jīng)過(guò)這些地方的光線不受電壓控制,而無(wú)法顯示正確的灰階,所以都需利用black matrix(黑底)加以遮蔽,以免干擾其它透光區(qū)域。而有效的透光區(qū)域與全部面積的比例就稱(chēng)之為開(kāi)口率。
發(fā)明內(nèi)容
為此,需要提供一種內(nèi)嵌式的面板結(jié)構(gòu)及其制作方法,提高面板的開(kāi)口率,同時(shí)縮減面板厚度。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N內(nèi)嵌式的面板結(jié)構(gòu)的制作方法,包括步驟:
將基板分為透光電容區(qū)、TFT區(qū)和基板區(qū);
在所述基板上依次制作第一透光導(dǎo)電層和柵極金屬層,并于所述柵極金屬層上制作第一絕緣層;
曝光顯影去除所述基板區(qū)上的所述第一絕緣層,并去除透光電容區(qū)上的上部分所述第一絕緣層;
蝕刻去除基板區(qū)上的所述第一透光導(dǎo)電層和柵極金屬層;
通過(guò)灰化處理去除透光電容區(qū)上剩余的所述第一絕緣層,蝕刻透光電容區(qū)上的所述柵極金屬層;
去除位于所述TFT區(qū)上的第一絕緣層;
制作第二絕緣層;并于所述第二絕緣層上制作有源層,所述有源層位于所述柵極金屬層上方;
依次制作第二透光導(dǎo)電層和源漏極金屬層,并于源漏極金屬層上制作第三絕緣層;
曝光顯影去除所述基板區(qū)以及所述有源層中部上方的所述第三絕緣層;并去除透光電容區(qū)上的上部分所述第三絕緣層;
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于福建華佳彩有限公司,未經(jīng)福建華佳彩有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011525914.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺(tái)結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)





