[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011525906.7
• 申請(qǐng)日: 2016-02-22
• 公開（公告）號(hào): CN112687711A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小木純;藤曲潤一郎;井上晉;藤原淳志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H01L23/488
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 王新春;曹正建

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

在第一半導(dǎo)體基板上的多個(gè)凸塊；

在所述第一半導(dǎo)體基板上的所述多個(gè)凸塊之外的區(qū)域中的透鏡材料，其中，離所述透鏡材料最近的凸塊的一側(cè)與所述透鏡材料的離所述凸塊最近的一側(cè)之間的距離大于離所述透鏡材料最近的所述凸塊的直徑的兩倍，以及其中，離所述透鏡材料最近的所述凸塊的一側(cè)與所述透鏡材料的離所述凸塊最近的一側(cè)之間的距離大于所述凸塊的最小間距；和

壩，所述壩形成在所述第一半導(dǎo)體基板上，其中所述壩形成在所述透鏡材料與所述多個(gè)凸塊之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述透鏡材料僅在所述第一半導(dǎo)體基板上的像素區(qū)域中形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述透鏡材料僅在所述第一半導(dǎo)體基板上的與第二半導(dǎo)體基板對(duì)應(yīng)的區(qū)域之外的區(qū)域中形成，所述第二半導(dǎo)體基板配置成經(jīng)由所述凸塊接合到所述第一半導(dǎo)體基板上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述透鏡材料形成為在所述第一半導(dǎo)體基板上的區(qū)域中具有開口，所述開口大于所述第二半導(dǎo)體基板。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

在所述第二半導(dǎo)體基板和所述第一半導(dǎo)體基板之間形成的底部填充樹脂，

其中所述壩防止所述底部填充樹脂泄漏到所述第一半導(dǎo)體基板上的與所述第二半導(dǎo)體基板接合的區(qū)域之外的區(qū)域，

其中，所述透鏡材料形成為在所述第一半導(dǎo)體基板上的所述壩內(nèi)側(cè)的整個(gè)區(qū)域中具有開口。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

在所述第二半導(dǎo)體基板和所述第一半導(dǎo)體基板之間形成的底部填充樹脂，

其中所述壩防止所述底部填充樹脂泄漏到所述第一半導(dǎo)體基板上的與所述第二半導(dǎo)體基板接合的區(qū)域之外的區(qū)域，

其中，所述透鏡材料形成為僅在所述第一半導(dǎo)體基板上的所述壩內(nèi)側(cè)的部分區(qū)域中具有開口。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述透鏡材料形成為在所述第一半導(dǎo)體基板上的區(qū)域中具有開口，所述開口小于所述第二半導(dǎo)體基板。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述透鏡材料的離所述凸塊最近的一側(cè)是片上透鏡的一側(cè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

在所述第一半導(dǎo)體基板上形成并且配置成連接到所述凸塊的凸塊連接用電極焊盤；和

在所述第一半導(dǎo)體基板上形成并且配置成連接到引線接合件的引線接合用電極焊盤，

其中，引線接合用開口部分的離所述透鏡材料最近的一側(cè)與所述透鏡材料的離所述引線接合用開口部分最近的一側(cè)之間的距離和所述引線接合用開口部分的尺寸的比值小于離所述透鏡材料最近的凸塊用開口部分的一側(cè)與所述透鏡材料的離所述凸塊用開口部分最近的一側(cè)之間的距離和所述凸塊用開口部分的尺寸的比值。

10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：

在第一半導(dǎo)體基板上形成多個(gè)凸塊，

在所述第一半導(dǎo)體基板上的所述多個(gè)凸塊之外的區(qū)域中形成透鏡材料，其中，離所述透鏡材料最近的凸塊的一側(cè)與所述透鏡材料的離所述凸塊最近的一側(cè)之間的距離大于離所述透鏡材料最近的所述凸塊的直徑的兩倍，以及其中，離所述透鏡材料最近的所述凸塊的一側(cè)與所述透鏡材料的離所述凸塊最近的一側(cè)之間的距離大于所述凸塊的最小間距，和

在所述第一半導(dǎo)體基板上形成壩，其中所述壩形成在所述透鏡材料與所述多個(gè)凸塊之間。