[發(fā)明專利]墊片及其制造方法、封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011524223.X | 申請日: | 2020-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN112652619B | 公開(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 曾心如;陳鵬;王利琴;周厚德;侯春源 | 申請(專利權(quán))人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/06 | 分類號: | H01L27/06;H01L27/08;H01L21/822;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 北京英思普睿知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 16018 | 代理人: | 劉瑩;聶國斌 |
| 地址: | 430000 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 墊片 及其 制造 方法 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
本申請?zhí)峁┝艘环N墊片及其制造方法、封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。該墊片包括:底板;至少一個被動元件結(jié)構(gòu),形成于底板的第一面處,并包括通過平面工藝形成的電路圖形,電路圖形包括用于與外部電路電連接的至少兩個功能端;以及至少兩個電極,形成于被動元件結(jié)構(gòu)的功能端,并用于電連接功能端與外部電路。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及半導體器件領(lǐng)域,更具體的,涉及一種墊片、一種制造墊片的方法,一種封裝結(jié)構(gòu)、一種制造封裝結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)
隨著微電子產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,半導體器件的集成度越來越高。半導體存儲器也由二維發(fā)展至三維,例如三維與非型閃存(3D NAND flash)。而閃存也在不斷的升級。
目前,在設(shè)計存儲器的系統(tǒng)級的封裝結(jié)構(gòu)時,為了提升存儲器的信號完整性和電源完整性,通常會在封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的底板上設(shè)置一些被動元件。例如,在底板上設(shè)置高精度(例如1%)電阻來校準驅(qū)動阻抗和終端電阻,還可以放置電容來改善電源分配網(wǎng)絡(luò)的軌道噪聲。一般會采用表面貼裝技術(shù)來焊接這些電阻和電容。
在封裝結(jié)構(gòu)中設(shè)置有芯片、芯片中可能包含多個裸芯(Die),例如八個、十六個、二十四個、三十二個或更多個。當封裝結(jié)構(gòu)中包括多個裸芯時,需要放置多個電阻、電容等被動元件,進而這些被動元件需要占據(jù)較大空間。而封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部空間有限,限制了被動元件可使用的空間。
設(shè)置較多的被動元件時存在極大的困難,甚至不可實現(xiàn)這樣的封裝結(jié)構(gòu)。此外通用的被動元件具有塑封和引腳結(jié)構(gòu),對于封裝結(jié)構(gòu)來說是占用了空間的、多余的結(jié)構(gòu)。
發(fā)明內(nèi)容
本申請的實施方式提供了一種墊片,該墊片包括:底板;至少一個被動元件結(jié)構(gòu),形成于底板的第一面處,并包括通過平面工藝形成的電路圖形,電路圖形包括用于與外部電路電連接的至少兩個功能端;以及至少兩個電極,形成于被動元件結(jié)構(gòu)的功能端,并用于電連接功能端與外部電路。
在一個實施方式中,至少一個被動元件結(jié)構(gòu)包括電容結(jié)構(gòu)和電阻結(jié)構(gòu)中的至少之一。
在一個實施方式中,至少一個被動元件結(jié)構(gòu)包括電容結(jié)構(gòu),電容結(jié)構(gòu)包括沿遠離底板的第一面的方向交替堆疊的導電層和絕緣層;述電容結(jié)構(gòu)的每個導電層包括功能子端;一部分導電層的功能子端用于構(gòu)成至少兩個功能端中的第一功能端,另一部分導電層的功能子端用于構(gòu)成至少兩個功能端中的第二功能端。
在一個實施方式中,每個導電層的外周邊設(shè)置有絕緣框,絕緣框包圍導電層的功能子端之外的部分。
在一個實施方式中,絕緣框的材料與電容結(jié)構(gòu)的絕緣層的材料相同。
在一個實施方式中,電容結(jié)構(gòu)的絕緣層的材料是鈦酸鋇陶瓷。
在一個實施方式中,至少兩個電極中包括:第一電極,覆蓋電容結(jié)構(gòu)的設(shè)置有第一功能端的一側(cè);以及第二電極,覆蓋電容結(jié)構(gòu)的設(shè)置有第二功能端的一側(cè)。
在一個實施方式中,第一功能端和第二功能端之間具有1μF至3μF的電容。
在一個實施方式中,至少一個被動元件結(jié)構(gòu)包括電阻結(jié)構(gòu),電阻結(jié)構(gòu)包括:第一電阻線,第一電阻線的兩端分別為第一連接端和至少兩個功能端中的第三功能端;阻值調(diào)試段,具有相對的第一側(cè)和第二側(cè),阻值調(diào)試段適于被加工以使第一側(cè)和第二側(cè)之間的電阻變大,第一側(cè)與第一連接端電性連接;第二電阻線,第二電阻線的兩端分別為第二連接端和至少兩個功能端中的第四功能端,第二連接端與第二側(cè)電性連接。
在一個實施方式中,阻值調(diào)試段具有由調(diào)試端向備用端延展的形態(tài),其中,調(diào)試端具有第一側(cè)和第二側(cè)。
在一個實施方式中,電阻結(jié)構(gòu)通過將金屬材料印刷或電鍍在底板上形成。
在一個實施方式中,金屬材料是銀漿或銅漿。
在一個實施方式中,第一電阻線、阻值調(diào)試段以及第二電阻線分別沿底板的第一面延展。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





