[發明專利]墊片及其制造方法、封裝結構及其制造方法有效
| 申請號: | 202011524223.X | 申請日: | 2020-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN112652619B | 公開(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發明(設計)人: | 曾心如;陳鵬;王利琴;周厚德;侯春源 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/06 | 分類號: | H01L27/06;H01L27/08;H01L21/822;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 北京英思普睿知識產權代理有限公司 16018 | 代理人: | 劉瑩;聶國斌 |
| 地址: | 430000 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 墊片 及其 制造 方法 封裝 結構 | ||
1.一種墊片,其特征在于,包括:
底板;
至少一個被動元件結構,形成于所述底板的第一面處,并包括通過平面工藝形成的電路圖形,所述電路圖形包括用于與外部電路電連接的至少兩個功能端;以及
至少兩個電極,形成于所述被動元件結構的所述功能端,并用于電連接所述功能端與所述外部電路;
其中,所述至少一個被動元件結構包括電容結構和電阻結構;
所述電容結構包括沿遠離所述底板的所述第一面的方向交替堆疊的導電層和絕緣層;
所述電容結構的每個所述導電層包括功能子端;
一部分所述導電層的功能子端用于構成所述至少兩個功能端中的第一功能端,另一部分所述導電層的功能子端用于構成所述至少兩個功能端中的第二功能端;
所述電阻結構包括:
第一電阻線,所述第一電阻線的兩端分別為第一連接端和所述至少兩個功能端中的第三功能端;
阻值調試段,具有相對的第一側和第二側,所述阻值調試段適于被加工以使所述第一側和所述第二側之間的電阻變大,所述第一側與所述第一連接端電性連接;以及
第二電阻線,所述第二電阻線的兩端分別為第二連接端和所述至少兩個功能端中的第四功能端,所述第二連接端與所述第二側電性連接。
2.根據權利要求1所述的墊片,其中,每個所述導電層的外周邊設置有絕緣框,所述絕緣框包圍所述導電層的所述功能子端之外的部分。
3.根據權利要求1或2所述的墊片,其中,所述電容結構的絕緣層的材料是鈦酸鋇陶瓷。
4.根據權利要求1所述的墊片,其中,所述第一功能端和所述第二功能端之間具有1μF至3μF的電容。
5.根據權利要求1所述的墊片,其中,所述阻值調試段具有由調試端向備用端延展的形態,其中,所述調試端具有所述第一側和所述第二側。
6.根據權利要求1所述的墊片,其中,所述電阻結構通過將金屬材料印刷或電鍍在所述底板上形成。
7.根據權利要求1所述的墊片,其中,所述第一電阻線、所述阻值調試段以及所述第二電阻線分別沿所述底板的所述第一面延展。
8.根據權利要求1所述的墊片,其中,所述第一電阻線包括連通段和分別沿所述底板的所述第一面延展的至少兩個延伸段;
所述至少兩個延伸段在遠離所述底板的方向上被所述電阻結構的絕緣層間隔;
所述連通段貫穿所述電阻結構的絕緣層并電連接相鄰的兩個所述延伸段。
9.根據權利要求1所述的墊片,其中,所述第三功能端和所述第四功能端之間具有200Ω至500Ω的電阻。
10.根據權利要求1所述的墊片,其中,所述電極包括位于所述被動元件結構的遠離所述底板的一側的部分。
11.根據權利要求1所述的墊片,其中,所述墊片還包括:絕緣膜,覆蓋所述至少一個被動元件和所述底板中至少一者的至少一部分表面。
12.一種封裝結構,其特征在于,包括:
基板:
半導體芯片,設置于所述基板并與所述基板電連接;以及
如權利要求1至11中任一項所述的墊片,所述被動元件結構通過所述電極與所述基板電連接。
13.根據權利要求12所述的封裝結構,其中,所述封裝結構還包括:控制器,設置于所述基板并與所述基板電連接。
14.根據權利要求12所述的封裝結構,其中,所述墊片墊置于所述基板和所述半導體芯片之間底板基板。
15.根據權利要求14所述的封裝結構,其中,所述墊片與所述半導體芯片之間設置有由固化后的流動材料形成的保護膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





