[發(fā)明專利]存儲裝置的操作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011517551.7
• 申請日: 2016-10-08
• 公開（公告）號: CN112509627A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李熙烈;樸志晧
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/14
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

提供了存儲裝置的操作方法。一種存儲裝置可以包括存儲器塊、外圍電路和控制邏輯。存儲器塊可以包括沿垂直方向被布置在基板上的多個頁面。外圍電路可以對所選擇的頁面執(zhí)行編程操作?？刂七壿嬁梢钥刂仆鈬娐芬詧?zhí)行對一些所述頁面依次進行編程直至第一頁面的第一局部編程操作。控制邏輯可以執(zhí)行對其它未編程頁面進行擦除的第一局部擦除操作。控制邏輯可以執(zhí)行對已執(zhí)行第一局部擦除操作的頁面進行局部編程的第二局部編程操作。

本申請是原案申請?zhí)枮?01610879356.6的發(fā)明專利申請(申請日：2016年10月08日，發(fā)明名稱：存儲裝置及其操作方法)的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的一方面總體上涉及一種存儲裝置及其操作方法，且更具體地，涉及一種三維存儲裝置的編程方法。

背景技術(shù)

存儲裝置可以具有能夠存儲數(shù)據(jù)的存儲器單元。存儲器單元可以被分組成多個存儲器塊。存儲裝置可以具有用于執(zhí)行諸如對所選擇的存儲器塊進行編程操作的各種操作的外圍電路，并且也可以具有用于控制外圍電路的控制邏輯。

存儲裝置可以根據(jù)如何布置存儲器塊中所包括的存儲器單元而被分類成兩種類別：二維存儲裝置和三維存儲裝置。例如，在二維存儲裝置中，可以相對于基板水平地布置存儲器單元，而在三維存儲裝置中，可以相對于基板垂直地布置存儲器單元。

在三維存儲裝置中，存儲器單元可以沿著垂直方向被層疊在基板上，以提高集成密度。非易失性存儲裝置即使在不存在電源的情況下也可以保持其數(shù)據(jù)。因此，非易失性存儲裝置被廣泛地用作用于便攜式電子裝置的數(shù)據(jù)存儲裝置。

發(fā)明內(nèi)容

實施方式提供了一種能夠提高存儲裝置的編程操作的可靠性的存儲裝置及其操作方法。

根據(jù)本公開的一方面，提供了一種存儲裝置，該存儲裝置包括存儲器塊、外圍電路和控制邏輯。存儲器塊可以包括沿垂直方向被布置在基板上的多個頁面(page)。外圍電路可以對頁面當(dāng)中的所選擇的頁面執(zhí)行編程操作?？刂七壿嬁梢钥刂仆鈬娐芬詧?zhí)行對一些所述頁面依次進行編程直至第一頁面的第一局部編程操作。該控制邏輯可以執(zhí)行對其它未編程頁面進行擦除的第一局部擦除操作。該控制邏輯可以執(zhí)行對已執(zhí)行第一局部擦除操作的頁面進行局部編程的第二局部編程操作。

根據(jù)本公開的一方面，提供了一種操作存儲裝置的方法。該方法可以包括以下步驟：對選擇的頁面執(zhí)行第A局部編程操作直至設(shè)置頁面。該方法可以包括以下步驟：如果完成所述第A局部編程操作直至所述設(shè)置頁面。該方法可以包括以下步驟：對其它未編程頁面執(zhí)行第B局部擦除操作。該方法可以包括：對已執(zhí)行所述第B局部擦除操作的所述頁面執(zhí)行第(A+1)局部編程操作。

根據(jù)本公開的一方面，提供了一種操作存儲裝置的方法。該方法可以包括以下步驟：對被垂直地布置在基板上的第一串和第二串的存儲器單元進行編程。所述第一串和所述第二串可以通過它們的下部彼此聯(lián)接。位于所述第一串的最上端處的第一存儲器單元可以被編程，且然后位于所述第二串的最上端處的第二存儲器單元可以被編程。該方法可以包括以下步驟：對位于所述第一存儲器單元的下部位置處的第三存儲器單元進行編程，且然后對位于所述第二存儲器單元的下部位置處的第四存儲器單元進行編程。該方法可以包括以下步驟：對所述第一串的第N存儲器單元進行編程，對所述第二串的第(N+1)存儲器單元進行編程，且然后對位于所述第N存儲器單元和所述第(N+1)存儲器單元的下部位置處的存儲器單元進行擦除。該方法可以包括以下步驟：對所擦除的存儲器單元進行編程。