[發(fā)明專利]存儲(chǔ)裝置的操作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011517551.7
• 申請(qǐng)日: 2016-10-08
• 公開（公告）號(hào): CN112509627A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李熙烈;樸志晧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/10
• 分類號(hào): G11C16/10;G11C16/14
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

1.一種操作包括聯(lián)接在源極線和位線之間的串的存儲(chǔ)裝置的方法，該方法包括以下步驟：

對(duì)所述串中從所述位線起的第N存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程；

在從所述位線起的所述第N存儲(chǔ)器單元被編程之后，對(duì)所述串中從所述源極線起的第M存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程；

在從所述源極線起的所述第M存儲(chǔ)器單元被編程之后，對(duì)聯(lián)接在從所述位線起的所述第N存儲(chǔ)器單元和從所述源極線起的所述第M存儲(chǔ)器單元之間的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行擦除；以及

對(duì)經(jīng)擦除的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程，

其中，N和M是正整數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過對(duì)聯(lián)接至從所述位線起的所述第N存儲(chǔ)器單元的字線施加編程電壓并且對(duì)聯(lián)接至其余存儲(chǔ)器單元的字線施加通過電壓來對(duì)從所述位線起的所述第N存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程，并且通過對(duì)聯(lián)接至從所述源極線起的所述第M存儲(chǔ)器單元的字線施加所述編程電壓并且對(duì)聯(lián)接至其余存儲(chǔ)器單元的字線施加所述通過電壓來對(duì)從所述源極線起的所述第M存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，當(dāng)聯(lián)接在從所述位線起的所述第N存儲(chǔ)器單元和從所述源極線起的所述第M存儲(chǔ)器單元之間的存儲(chǔ)器單元被擦除時(shí)，從所述位線起的所述第N存儲(chǔ)器單元和從所述源極線起的所述第M存儲(chǔ)器單元未被擦除。

4.一種操作包括聯(lián)接在源極線和位線之間的多個(gè)存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)裝置的方法，該方法包括以下步驟：

對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元當(dāng)中相對(duì)靠近所述位線的存儲(chǔ)器單元和相對(duì)靠近所述源極線的存儲(chǔ)器單元分別執(zhí)行第一編程操作；

對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元當(dāng)中除了被執(zhí)行以所述第一編程操作的存儲(chǔ)器單元之外的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一擦除操作；

對(duì)被執(zhí)行以所述第一擦除操作的存儲(chǔ)器單元當(dāng)中的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第二編程操作；

對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元當(dāng)中除了被執(zhí)行以所述第一編程操作或所述第二編程操作的存儲(chǔ)器單元之外的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第二擦除操作；以及

對(duì)被執(zhí)行以所述第二擦除操作的存儲(chǔ)器單元當(dāng)中的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第三編程操作。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，當(dāng)所述第三編程操作被執(zhí)行時(shí)，對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元當(dāng)中除了被執(zhí)行以所述第一編程操作、所述第二編程操作或所述第三編程操作的存儲(chǔ)器單元之外的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第三擦除操作。

6.一種操作包括聯(lián)接在源極線和位線之間的多個(gè)頁的存儲(chǔ)裝置的方法，該方法包括以下步驟：

對(duì)所述多個(gè)頁當(dāng)中相對(duì)靠近所述位線的第N頁和相對(duì)靠近所述源極線的第N頁分別進(jìn)行編程；

對(duì)所述第N頁之間的頁進(jìn)行擦除；以及

對(duì)所述第N頁之間的經(jīng)擦除的頁進(jìn)行編程，

其中，N是正整數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述多個(gè)頁中的每個(gè)頁包括聯(lián)接至同一字線的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。

8.一種操作包括聯(lián)接在源極線和位線之間的串的存儲(chǔ)裝置的方法，該方法包括以下步驟：

對(duì)從所述位線起的第一最靠近的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程；

在從所述位線起的所述第一最靠近的存儲(chǔ)器單元被編程之后，對(duì)從所述源極線起的第一最靠近的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程；

在從所述源極線起的所述第一最靠近的存儲(chǔ)器單元被編程之后，對(duì)從所述位線起的第二存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程；

在從所述位線起的所述第二存儲(chǔ)器單元被編程之后，對(duì)從所述源極線起的第二存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程；

在從所述源極線起的所述第二存儲(chǔ)器單元被編程之后，對(duì)從所述位線起的第N存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程；

在從所述位線起的所述第N存儲(chǔ)器單元被編程之后，對(duì)從所述源極線起的第N存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程；

對(duì)聯(lián)接在從所述源極線起的所述第N存儲(chǔ)器單元和從所述位線起的所述第N存儲(chǔ)器單元之間的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行擦除；以及

對(duì)經(jīng)擦除的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程。

9.一種操作包括串的存儲(chǔ)裝置的方法，所述串包括源極選擇晶體管、漏極選擇晶體管以及聯(lián)接在所述源極選擇晶體管和所述漏極選擇晶體管之間的存儲(chǔ)器單元，該方法包括以下步驟：

對(duì)從所述漏極選擇晶體管起的第一最靠近的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程；

在從所述漏極選擇晶體管起的所述第一最靠近的存儲(chǔ)器單元被編程之后，對(duì)從所述源極選擇晶體管起的第一最靠近的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程；

在從所述源極選擇晶體管起的所述第一最靠近的存儲(chǔ)器單元被編程之后，對(duì)從所述漏極選擇晶體管起的第二存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程；

在從所述漏極選擇晶體管起的所述第二存儲(chǔ)器單元被編程之后，對(duì)從所述源極選擇晶體管起的第二存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程；

在從所述源極選擇晶體管起的所述第二存儲(chǔ)器單元被編程之后，對(duì)從所述漏極選擇晶體管起的第N存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程；

在從所述漏極選擇晶體管起的所述第N存儲(chǔ)器單元被編程之后，對(duì)從所述源極選擇晶體管起的第N存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程；

對(duì)聯(lián)接在從所述源極選擇晶體管起的所述第N存儲(chǔ)器單元和從所述漏極選擇晶體管起的所述第N存儲(chǔ)器單元之間的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行擦除；以及

對(duì)經(jīng)擦除的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程。