[發(fā)明專利]倒裝雙層DBR的LED芯片結構及其制作方法

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• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN112510135A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設計）人: 張秀敏
• 申請（專利權）人: 普瑞（無錫）研發(fā)有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 江蘇漫修律師事務所 32291
• 代理人: 熊啟奎;周曉東

1.一種倒裝雙層DBR的LED芯片結構，其特征在于：在芯片襯底（1）的正面生長有LED芯片外延結構，在外延結構表面上鍍有ITO膜（2），通過ICP刻蝕技術將暴漏區(qū)域的N-GaN層刻蝕出來，形成N-GaN臺階；在芯片結構上制作N、P金屬導電支線（3）；在芯片結構的正面沉積有SiO₂絕緣層（4），在SiO₂絕緣層（4）表面鍍有第一DBR反射層（5），通過ICP刻蝕技術將N、P金屬導電支線（3）暴露出來，在N、P金屬導電支線（3）的對應位置制作N、P焊盤電極（6）；在芯片結構背面鍍有第二DBR反射層（7）；芯片結構在未切割時，在芯片結構上通過刻蝕技術形成切割道，所述切割道位于芯片結構的正面或背面或雙面，芯片沿切割道進行切割。

2.根據(jù)權利要求1所述的倒裝雙層DBR的LED芯片結構，其特征在于：利用PECVD技術在芯片結構的表面沉積SiO₂絕緣層（4），利用氧化物鍍膜技術在SiO₂絕緣層（4）表面鍍第一DBR反射層（5），然后利用正性光刻掩膜技術制作掩膜圖形，通過ICP刻蝕技術將N、P金屬導電支線（3）暴露出來。

3.根據(jù)權利要求1所述的倒裝雙層DBR的LED芯片結構，其特征在于：利用負性光刻掩膜技術制作焊盤電極圖形，并通過電子束蒸發(fā)技術制作N、P焊盤電極（6）。

4.根據(jù)權利要求1所述的倒裝雙層DBR的LED芯片結構，其特征在于：利用氧化物鍍膜技術在芯片結構背面鍍第二DBR反射層（7）。

5.根據(jù)權利要求1所述的倒裝雙層DBR的LED芯片結構，其特征在于：利用正性光刻掩膜技術制作掩膜圖形，將切割道暴露出來，通過ICP刻蝕技術將切割道處的DBR刻蝕掉形成切割道。

6.一種倒裝雙層DBR的LED芯片結構制作方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟S1，提供芯片襯底（1），在芯片襯底（1）的正面生長LED芯片外延結構；

步驟S2，在芯片外延結構表面上鍍ITO膜（2）；

步驟S3：通過ICP刻蝕技術將暴漏區(qū)域的N-GaN層刻蝕出來，形成N-GaN臺階；

步驟S4，在芯片結構上制作N、P金屬導電支線（3）；

步驟S5，在芯片結構的正面沉積SiO₂絕緣層（4），在SiO₂絕緣層（4）表面鍍第一DBR反射層（5），通過ICP刻蝕技術將N、P金屬導電支線（3）暴露出來；

步驟S6，通過電子束蒸發(fā)技術制作N、P焊盤電極（6）；

步驟S7，在芯片結構背面鍍第二DBR反射層（7）；

步驟S8，在芯片結構上通過刻蝕技術形成切割道，所述切割道位于芯片結構的正面或背面或雙面；

步驟S9，利用砂輪刀將芯片襯底（1）上的器件沿切割道進行切割，并利用裂片技術將芯片分離。

7.根據(jù)權利要求6所述的倒裝雙層DBR的LED芯片結構制作方法，其特征在于：步驟S5進一步包括：利用PECVD技術在芯片結構的表面沉積SiO₂絕緣層（4），利用氧化物鍍膜技術在SiO₂絕緣層（4）表面鍍第一DBR反射層（5），然后利用正性光刻掩膜技術制作掩膜圖形，通過ICP刻蝕技術將N、P金屬導電支線（3）暴露出來。

8.根據(jù)權利要求6所述的倒裝雙層DBR的LED芯片結構制作方法，其特征在于：步驟S7進一步包括：利用氧化物鍍膜技術在芯片結構背面鍍第二DBR反射層（7）。

9.根據(jù)權利要求7或8所述的倒裝雙層DBR的LED芯片結構制作方法，其特征在于：所述氧化物鍍膜技術采用電子束蒸發(fā)技術。

10.根據(jù)權利要求6所述的倒裝雙層DBR的LED芯片結構制作方法，其特征在于：步驟S8進一步包括：利用正性光刻掩膜技術制作掩膜圖形，將切割道暴露出來，通過ICP刻蝕技術將切割道處的DBR刻蝕掉形成切割道。