[發(fā)明專利]雙層ITO膜的LED芯片結(jié)構(gòu)及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011508870.1
• 申請(qǐng)日: 2020-12-18
• 公開（公告）號(hào): CN112510132A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳曉冰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 普瑞（無錫）研發(fā)有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/42
• 分類號(hào): H01L33/42;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 江蘇漫修律師事務(wù)所 32291
• 代理人: 熊啟奎;周曉東

1.一種雙層ITO膜的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：在芯片襯底（1）上生長LED芯片外延結(jié)構(gòu)，通過ICP刻蝕技術(shù)將暴漏區(qū)域的N-GaN層（4）刻蝕出來，形成N-GaN臺(tái)階，在芯片結(jié)構(gòu)上鍍SiO₂電流擴(kuò)散層（7），第一層ITO膜（8）包覆在SiO₂電流擴(kuò)散層（7）的整面上，在第一層ITO膜（8）表面上鍍第二層ITO膜（9），第二層ITO膜（9）是在高溫快速退火同時(shí)通入氧氣而形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層ITO膜的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：利用sputter濺射技術(shù)在芯片結(jié)構(gòu)表面上鍍第一層ITO膜（8）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層ITO膜的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：利用sputter濺射技術(shù)在第一層ITO膜（8）表面上鍍第二層ITO膜（9）。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層ITO膜的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：在第二層ITO膜（9）和暴露的N-GaN臺(tái)階部分分別制作N、P焊盤電極（10）。

5.一種雙層ITO膜的LED芯片結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟S1，提供芯片襯底（1），在芯片襯底（1）上生長LED芯片外延結(jié)構(gòu)；

步驟S2，通過ICP刻蝕技術(shù)將暴漏區(qū)域的N-GaN層（4）刻蝕出來，形成N-GaN臺(tái)階；

步驟S3，利用物理氣相沉積和黃光蝕刻技術(shù)制作SiO₂電流擴(kuò)散層（7）；

步驟S4，在芯片結(jié)構(gòu)表面上鍍第一層ITO膜（8），利用退火爐的高溫快速退火，使ITO膜和P-GaN層（6）形成良好的歐姆接觸，第一層ITO膜（8）包覆在SiO₂電流擴(kuò)散層（7）的整面上；

步驟S5，在第一層ITO膜（8）表面上鍍第二層ITO膜（9），利用退火爐的高溫快速退火同時(shí)通入氧氣的工藝制成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙層ITO膜的LED芯片結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于：步驟S2進(jìn)一步包括，利用正性光刻掩膜技術(shù)制作掩膜圖形，通過ICP刻蝕技術(shù)將暴漏區(qū)域的N-GaN層（4）刻蝕出來，形成N-GaN臺(tái)階。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙層ITO膜的LED芯片結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于：步驟S4進(jìn)一步包括，利用sputter濺射技術(shù)在芯片結(jié)構(gòu)表面上鍍第一層ITO膜（8）。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙層ITO膜的LED芯片結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于：步驟S5進(jìn)一步包括，利用sputter濺射技術(shù)在第一層ITO膜（8）表面上鍍第二層ITO膜（9）。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙層ITO膜的LED芯片結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于：還包括步驟S6，在第二層ITO膜（9）和暴露的N-GaN臺(tái)階部分分別制作N、P焊盤電極（10）。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的雙層ITO膜的LED芯片結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于：步驟S6進(jìn)一步包括，利用負(fù)性光刻掩膜技術(shù)制作焊盤電極圖形，并通過電子束蒸發(fā)技術(shù)在第二層ITO膜（9）和暴露的N-GaN臺(tái)階部分分別制作N、P焊盤電極（10）。