[發(fā)明專利]修調(diào)熔絲讀取電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011508363.8
• 申請(qǐng)日: 2020-12-18
• 公開（公告）號(hào): CN114647272A
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王歡;于翔;謝程益
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 圣邦微電子（北京）股份有限公司
• 主分類號(hào): G05F3/26
• 分類號(hào): G05F3/26;G01R31/74
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;張靖琳

本發(fā)明公開了一種修調(diào)熔絲讀取電路，包括：修調(diào)熔絲狀態(tài)讀取單元，包括第一支路和第二支路，第一支路通過第一電阻與電源端連接，第二支路通過修調(diào)熔絲與電源端連接，修調(diào)熔絲狀態(tài)讀取單元還接收熔絲讀取信號(hào)，用于在熔絲讀取信號(hào)有效時(shí)基于第一電阻判斷修調(diào)熔絲的熔斷狀態(tài)；偏置電流產(chǎn)生單元，用于向修調(diào)熔絲狀態(tài)讀取單元提供偏置電流。該修調(diào)熔絲讀取電路能夠確保在修調(diào)熔絲未完全熔斷的狀態(tài)下也能夠進(jìn)行正常的讀取，且修調(diào)熔絲的熔斷狀態(tài)的讀取受電源電壓的影響較小。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片修調(diào)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種修調(diào)熔絲讀取電路。

背景技術(shù)

隨著集成電路高性能指標(biāo)的要求越來越高，芯片設(shè)計(jì)面臨高精度的要求日趨明顯，尤其是針對(duì)高速高精度的數(shù)模轉(zhuǎn)換器，模數(shù)轉(zhuǎn)換器，高精度的基準(zhǔn)源電路等設(shè)計(jì)，由于工藝誤差等無法避免的因素，工藝廠生產(chǎn)出的芯片的電容和電阻值都有一定的工藝誤差，這些誤差會(huì)直接影響電路的性能甚至功能。為了解決這類工藝誤差問題，在芯片正常使用之前，需要利用修調(diào)技術(shù)來修正，使電路參數(shù)更精確、一致性更好。

熔絲燒斷修調(diào)通常為利用電壓源(或電流源)將熔絲燒斷，改變?nèi)劢z阻值達(dá)到修調(diào)的目的。之后在芯片上電時(shí)檢測熔絲阻值判斷熔絲是否燒斷，進(jìn)而將芯片參數(shù)設(shè)置在規(guī)定的范圍內(nèi)。

現(xiàn)有的在芯片上電時(shí)判斷修調(diào)熔絲是否燒斷的讀取電路如圖1所示，其中，Read為熔絲讀取信號(hào)，通常為高脈沖時(shí)有效。芯片上電時(shí)，熔絲讀取信號(hào)Read產(chǎn)生一個(gè)高脈沖。如果修調(diào)熔絲Fuse沒有被燒斷，則修調(diào)熔絲Fuse阻值很小，此時(shí)反相器U0的輸入端A點(diǎn)電壓幾乎為VDD，輸出端OUT輸出一直保持為低電平。當(dāng)修調(diào)熔絲Fuse被燒斷后，其阻值非常大，當(dāng)熔絲讀取信號(hào)Read的高脈沖來臨時(shí)，A點(diǎn)電壓瞬時(shí)為低電平，反相器U0的輸出端OUT輸出一個(gè)高脈沖，芯片鎖存該高脈沖，從而判斷熔絲被燒斷。

但隨著工藝更新，修調(diào)熔絲Fuse燒斷時(shí)，往往不會(huì)完全熔斷，而未完全熔斷的修調(diào)熔絲Fuse的阻值在幾kΩ～幾百kΩ量級(jí)。上述電路中如果NMOS管M0的驅(qū)動(dòng)能力較小，可能存在誤判為修調(diào)熔絲Fuse沒燒斷；而如果NMOS管M0的驅(qū)動(dòng)能力很大，過大的電流可能對(duì)電源VDD造成影響，將電源VDD拉低。此外，修調(diào)熔絲Fuse的讀取受電源VDD的電壓影響較大。

因此，有必要提供改進(jìn)的技術(shù)方案以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的以上技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種修調(diào)熔絲讀取電路，可以基于修調(diào)熔絲的阻值相對(duì)于固定阻值的大小變化情況來進(jìn)行熔斷狀態(tài)的讀取，確保了在修調(diào)熔絲未完全熔斷的狀態(tài)下也能夠進(jìn)行正常的讀取，且修調(diào)熔絲的熔斷狀態(tài)的讀取受電源電壓的影響較小。

根據(jù)本公開提供的一種修調(diào)熔絲讀取電路，包括：修調(diào)熔絲狀態(tài)讀取單元，包括第一支路和第二支路，所述第一支路通過第一電阻與電源端連接，所述第二支路通過修調(diào)熔絲與電源端連接，所述修調(diào)熔絲狀態(tài)讀取單元還接收熔絲讀取信號(hào)，用于在所述熔絲讀取信號(hào)有效時(shí)基于所述第一電阻判斷所述修調(diào)熔絲的熔斷狀態(tài)；

偏置電流產(chǎn)生單元，與所述修調(diào)熔絲狀態(tài)讀取單元連接，用于向所述修調(diào)熔絲狀態(tài)讀取單元提供偏置電流。

可選地，所述第一電阻的阻值大于所述修調(diào)熔絲未熔斷時(shí)的阻值，且所述第一電阻的阻值小于所述修調(diào)熔絲未完全熔斷時(shí)的阻值。

可選地，所述偏置電流小于預(yù)設(shè)閾值。

可選地，所述修調(diào)熔絲狀態(tài)讀取單元包括：

第一晶體管，位于所述第一支路上，源極與所述第一電阻連接；

第二晶體管，位于所述第二支路上，源極與所述修調(diào)熔絲連接；

第一反相器，輸入端與所述第二晶體管的漏極連接，輸出端輸出表征所述修調(diào)熔絲的熔斷狀態(tài)的狀態(tài)信號(hào)，