[發明專利]熱硬化型抗靜電的黏著片有效
| 申請號: | 202011506953.7 | 申請日: | 2020-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN114644898B | 公開(公告)日: | 2023-10-13 |
| 發明(設計)人: | 吳旻哲;賴俊廷;林志維 | 申請(專利權)人: | 達邁科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C09J7/35 | 分類號: | C09J7/35;C09J7/25;C09J4/02;C09J11/06;C09J9/02;H05F1/02 |
| 代理公司: | 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 張莎莎;項榮 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硬化 抗靜電 黏著 | ||
本發明為一種熱硬化型抗靜電的黏著片,其表面電阻系數為等于或小于1011Ω,其用于100~200℃的高溫濺鍍制程,其包括有:一聚酰亞胺膜;及一熱硬化型抗靜電的黏著組成物,其黏著于該聚酰亞胺膜上,其包括一主體聚合物、一熱硬化基團、一熱硬化劑以及氟素離子液體,該主體聚合物的至少一單體前驅物的飽和烴C數至少≧4,該熱硬化基團的含量為介于0.5至8wt%之間,該熱硬化劑的分解溫度小于該高溫濺鍍制程的溫度,該氟素離子液體的脂肪族的長碳鏈C數至少≧3,且氟素離子液體的單元結構中所含S數2。
【技術領域】
本發明為一種熱硬化型抗靜電的黏著片,特別是指一種用于用于黏著電子組件,使電子組件再經過高溫濺鍍制程,以完成電子組件鍍防EMI金屬層后,可輕易將電子組件自黏著片移除,而無殘膠,且移除過程不因靜電損壞電子組件。
【背景技術】
在現有技術中,黏著材料諸如黏著片已被廣泛用于各種產品 (例
如半導體相關組件)的生產過程中。更具體而言,一般應用于高溫濺鍍制程過程中承載用的黏著片,為了制程過程中濺鍍金屬不至于鍍到電子組件電極或接腳導致組件失效,所以黏著片的黏著力須足以與電子組件相互固定而于濺鍍制程中不與電子組件分離,即不發生剝離。另外,在電子組件經過濺鍍制程后,于進行拾取(pick-up)的步驟中,則需要將黏著片與電子組件分離。因此,用于電子組件鍍防EMI的金屬層的高溫濺鍍制程,所需的黏著片需要同時具備良好的黏著力,以及在經過濺鍍處理后的易剝離的特性。且因應現行更復雜的應用,如耐靜電性很差的電子組件的短暫固定,例如:高頻wifi用的電子組件,會要求過完制程后要有輕易取下的特性,且組件脫離黏著片時不會因靜電而損壞電子組件等要素。
在現有的用以黏著電子組件的黏著片產品中,經過高溫制程的后,黏著片與電子組件之間的黏著力都會上升,因此,反而使得黏著片與電子組件不易剝離,或電子組件的剝離轉印污染量增多進而產生殘膠等問題。
因此,為了解決上述問題,先前技術文獻(TW106130993)已公開一種熱硬化型黏著組成物以及黏著片,其能通過“所述熱硬化型黏著組成物符合下列方程式:V=[(V0-V1)/V0]x100,其中,V為所述熱硬化型黏著組成物的黏著力變化率且是介于80%至98%之間,V0為所述熱硬化型黏著組成物在常溫下的黏著力,V1為所述硬化型黏著組成物被加熱至一預定溫度后再冷卻至常溫的黏著力”的技術方案,以使得黏著片可以在固有的半導體晶圓生產過程中的高溫加熱步驟下產生黏著力下降的效果,達到輕易剝離的功效。且技術文獻有提及在組成黏著片上的基膜可以透過鍍金屬達到優異的防靜電特性。但實際應用在一些承載或短暫固定電子組件的相關制程上,會有因基膜鍍金屬層造成電子組件在固定于黏著片上時,使用不透光的黏著片造成使用光學設備不易對位的問題。
而對于抑制電子組件脫離黏著片時產生的靜電,本領域技術人員在黏著片的組成物內添加導電材料減少在剝離過程中產生的靜電,已知的導電材料眾多,例如離子液體,而又以氟素離子液體具有高耐熱的特性,可用于一般高溫制程所需的黏著組成物的添加,但常產生黏著組成物與氟素離子液體不易匹配的困擾,造成分散不均導致在黏著組成物內形成的導電網絡不夠完整,就算增加其離子液體的添加量,但表面電阻依然無法降低至一定水平,例如無法低于1011Ω。因此,在現有技術中,用于承載電子組件過高溫鍍金屬制程的黏著片仍然有改善的空間。
【發明內容】
本發明提供一種熱硬化型抗靜電的黏著片,其表面電阻系數為等于或小于1011Ω,其用于100~200℃的高溫濺鍍制程,其包括有:一聚酰亞胺膜;及一黏著組成物,其黏著于該聚酰亞胺膜上,其包括一主體聚合物、一熱硬化基團、一熱硬化劑以及氟素離子液體,該主體聚合物的至少一單體前驅物的飽和烴C數至少≧4,該熱硬化基團的含量為介于0.5至8wt%之間,該熱硬化劑的分解溫度小于該高溫濺鍍制程的溫度,該氟素離子液體的脂肪族的長碳鏈C數至少≧3,且氟素離子液體的單元結構中所含的S數2。
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