[發明專利]集成光子收發器

在審

• 申請號: 202011505288.X
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN113296190A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: J·赫克;賀麗娜;S·樸;O·I·多孫穆;H·弗里希;K·C·馬格魯德;S·M·斯萊文;錢偉;劉安勝;N·高塔姆;M·艾森貝格爾
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G02B6/122
• 分類號: G02B6/122;G02B6/12;G02B6/293
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝

1.一種波分復用(WDM)收發器，包括：

硅襯底，所述硅襯底在所述硅襯底的第一部分具有沿z方向測量的第一z高度，并且在所述硅襯底的不同于所述第一部分的第二部分具有沿所述z方向測量的第二z高度；

第一氧化物層，所述第一氧化物層與所述硅襯底的所述第一部分耦合；

第二氧化物層，所述第二氧化物層與所述硅襯底的所述第二部分耦合；

硅波導層，所述硅波導層與所述第一氧化物層耦合；以及

氮化硅波導層，所述氮化硅波導層與所述第二氧化物層耦合，并且其中，所述氮化硅波導層還與所述硅波導層的一部分耦合。

2.根據權利要求1所述的WDM收發器，還包括與所述硅波導層耦合的光探測器、調制器或激光器。

3.根據權利要求1所述的WDM收發器，其中，所述氮化硅波導層與所述硅波導層在所述z方向上相鄰。

4.根據權利要求1所述的WDM收發器，其中，所述氮化硅波導層與所述硅波導層在垂直于所述z方向的方向上相鄰。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的WDM收發器，其中，所述第二氧化物層還與所述第一氧化物層耦合。

6.根據權利要求1-4中任一項所述的WDM收發器，其中，所述第二部分的所述z高度小于所述第一部分的所述z高度。

7.根據權利要求1-4中任一項所述的WDM收發器，其中，所述硅波導層的所述部分在垂直于所述z方向的方向上錐形化。

8.根據權利要求1-4中任一項所述的WDM收發器，其中，所述硅波導層的所述部分在所述z方向上錐形化。

9.一種光學器件，包括：

第一氧化物層，所述第一氧化物層在z方向上測量的厚度為至少2微米；

硅波導，所述硅波導與所述第一氧化物層耦合，其中，所述硅波導包括錐形部分；以及

氮化硅波導，所述氮化硅波導與所述硅波導的所述錐形部分相鄰；

其中，所述氮化硅波導在所述硅波導的所述錐形部分處與所述硅波導重疊，并且所述氮化硅波導與所述硅波導光學耦合。

10.根據權利要求9所述的光學器件，其中，所述氮化硅波導與所述硅波導的所述錐形部分物理耦合。

11.根據權利要求9所述的光學器件，其中，所述氮化硅波導與所述硅波導在所述z方向上重疊。

12.根據權利要求9所述的光學器件，其中，所述氮化硅波導與所述硅波導在與所述z方向垂直的橫向方向上重疊。

13.根據權利要求9-12中任一項所述的光學器件，其中，所述厚度是第一厚度，所述光學器件還包括具有不同于所述第一厚度的第二厚度的第二氧化物層，所述第二氧化物層與所述第一氧化物層相鄰，并且所述氮化硅波導與所述第二氧化物層耦合。

14.根據權利要求13所述的光學器件，還包括硅層，所述硅層與所述第一氧化物層和所述第二氧化物層耦合，使得所述第一氧化物層位于所述硅波導和所述硅層之間并且所述第二氧化物層位于所述氮化硅波導和所述硅層之間。

15.根據權利要求13所述的光學器件，還包括第三氧化物層，所述第三氧化物層與所述硅波導和所述氮化硅波導耦合，使得所述硅波導位于所述第一氧化物層和所述第三氧化物層之間并且所述氮化硅波導位于所述第二氧化物層和所述第三氧化物層之間。