[發明專利]集成光子收發器

在審

• 申請號: 202011505288.X
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN113296190A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: J·赫克;賀麗娜;S·樸;O·I·多孫穆;H·弗里希;K·C·馬格魯德;S·M·斯萊文;錢偉;劉安勝;N·高塔姆;M·艾森貝格爾
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G02B6/122
• 分類號: G02B6/122;G02B6/12;G02B6/293
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝

實施例可以涉及一種波分復用(WDM)收發器，其具有與氮化硅波導層耦合的硅波導層。在一些實施例中，硅波導層可以包括與氮化硅波導層耦合的錐形部分。在一些實施例中，硅波導層可以與具有第一z高度的第一氧化物層耦合，并且氮化硅波導層可以與具有大于第一z高度的第二z高度的第二氧化物層耦合。可以描述或主張其他實施例。

背景技術

硅光子收發器可將諸如激光器、調制器、光電探測器、無源元件、電子設備等各種功能件集成到單個部件中。然而，由于這種部件的高熱預算和低光學約束，可能難以將這種硅光子收發器與諸如氮化硅無源光學部件的元件集成在一起。

附圖說明

圖1示出了根據各實施例的光子收發器的示例性側視圖。

圖2示出了根據各實施例的圖1的光子收發器的示例性俯視圖。

圖3示出了根據各實施例的光子收發器的替代示例性側視圖。

圖4示出了根據各實施例的圖3的光子收發器的示例性俯視圖。

圖5示出了根據各實施例的用于制造光子收發器的簡化示例性工藝流程。

圖6進一步示出了根據各實施例的圖5的簡化示例性工藝流程。

圖7示出了根據各實施例的可以制造光子收發器的示例性技術。

圖8為根據各實施例的可以包括光子收發器的示例性電氣裝置的框圖。

圖9示出了根據各實施例的光子收發器的替代示例性側視圖。

具體執行方式

在以下具體實施方式中將參考附圖，附圖形成其一部分，其中所有附圖中類似附圖標記指示類似部分，并且在附圖中以示例方式示出了可實踐本公開主題的實施例。應當理解，在不脫離本公開范圍的情況下，可使用其他實施例并且可進行結構或邏輯變更。因此，以下詳細描述不應以限制性意義理解。

出于本公開的目的，短語“A或B”表示(A)、(B)或(A和B)。出于本公開的目的，短語“A、B或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。

說明書可以使用基于視角的描述，例如頂部/底部、內/外、上方/下方等。這樣的描述僅僅用于方便論述，并非意在將本文描述的實施例的應用限于任何特定取向。

該描述可以使用短語“在一實施例中”或“在實施例中”，均可以指一個或多個相同或不同的實施例。此外，結合本公開的實施例使用的術語“包括”、“包含”、“具有”等是同義的。

本文中可以使用術語“與……耦合”，連同其派生詞。“耦合”可以表示如下一種或多種情況。“耦合”可以表示兩個或更多元件直接物理或電接觸。不過，“耦合”還可以表示兩個或更多元件彼此間接接觸，但仍然彼此合作或交互，并可以表示一個或多個其他元件耦合或連接于被說成彼此耦合的元件之間。術語“直接耦合”可以表示兩個或更多個元件直接接觸。

在各實施例中，短語“形成、沉積或設置于第二特征上的第一特征”可以表示第一特征形成、沉積或設置于特征層上方，第一特征的至少一部分可以直接接觸(例如，直接物理或電接觸)或間接接觸(例如，在第一特征和第二特征之間具有一個或多個其他特征)第二特征的至少一部分。

各種操作可以按照最有助于理解所主張主題的方式被描述為依次多個離散操作。然而，描述的次序不應被理解為暗示這些操作必然取決于次序。