[發(fā)明專利]一種堆疊結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011504926.6
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN112635475A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設計）人: 楊事成;張莉;闕鳳森;賀曉平;陳冠樺;施生巍;李康;鐘磊
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱宗力

本申請公開了一種堆疊結(jié)構(gòu)及其制備方法，其中，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括交替堆疊設置的氮化物層和氧化物層，所述氮化物層至少包括部分摻氧氮化物層，且所述摻氧氮化物層與位于所述氮化物層背離所述襯底一側(cè)的氧化物層毗鄰，如此設置的摻氧氮化物層可以在刻蝕過程中起到緩沖作用，避免了刻蝕工藝在從氧化物層刻蝕到氮化物層時，由于驅(qū)動方式突變而造成的氮化物層損毀或缺陷的問題，提升了基于所述堆疊結(jié)構(gòu)制備的三維NAND存儲器的電學性能。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，更具體地說，涉及一種堆疊結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術

在三維NAND(與非)存儲器的制備過程中，需要生長多層氮化物和氧化物交替堆疊設置的堆疊結(jié)構(gòu)，且需要在堆疊結(jié)構(gòu)基于刻蝕工藝形成深孔，以為后續(xù)形成硅立柱等結(jié)構(gòu)奠定基礎。

在實際應用過程中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的堆疊結(jié)構(gòu)在刻蝕深孔的過程中會出現(xiàn)不必要的膜層損毀或缺陷，給后續(xù)制備獲得的三維NAND存儲器的電學性能帶來了不良影響。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述技術問題，本申請?zhí)峁┝艘环N堆疊結(jié)構(gòu)及其制備方法，以解決堆疊結(jié)構(gòu)在深孔刻蝕過程中導致的某些膜層損毀或缺陷的問題，提升制備獲得的三維NAND存儲器的電學性能。

為實現(xiàn)上述技術目的，本申請實施例提供了如下技術方案：

一種堆疊結(jié)構(gòu)，應用于三維NAND存儲器，所述堆疊結(jié)構(gòu)基于襯底設置，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括：

位于所述襯底上交替堆疊設置的氮化物層和氧化物層；

所述氮化物層至少包括部分摻氧氮化物層，所述摻氧氮化物層與位于所述氮化物層背離所述襯底一側(cè)的氧化物層毗鄰。

可選的，所述氮化物層包括：

第一氮化物層；

位于所述第一氮化物層背離所述襯底一側(cè)的第一摻氧氮化物層。

可選的，所述第一氮化物層包括氮化硅層；

所述第一摻氧氮化物層包括摻氧氮化硅層。

可選的，所述氮化物層包括：

第二摻氧氮化物層，所述第二摻氧氮化物層的摻氧濃度沿第一方向遞增，所述第一方向垂直與所述襯底，且由所述襯底指向所述堆疊結(jié)構(gòu)。

可選的，所述第二摻氧氮化物層包括摻氧氮化硅層。

可選的，還包括：

貫穿所述堆疊結(jié)構(gòu)，且暴露出所述襯底的通孔。

一種堆疊結(jié)構(gòu)的制備方法，應用于三維NAND存儲器，所述堆疊結(jié)構(gòu)的制備方法包括：

提供襯底；

在所述襯底上依次交替沉積氮化物層和氧化物層，以形成位于所述襯底上交替堆疊設置的氮化物層和氧化物層；所述氮化物層至少包括部分摻氧氮化物層，所述摻氧氮化物層與位于所述氮化物層背離所述襯底一側(cè)的氧化物層毗鄰。

可選的，所述在所述襯底上依次交替沉積氮化物層和氧化物層包括：

在所述襯底上依次交替沉積氮化物層和氧化物層，至少在形成所述氮化物層的后段制程中，通入含氧氣體。

可選的，所述在所述襯底上依次交替沉積氮化物層和氧化物層包括：

在所述襯底上依次交替沉積氮化物層和氧化物層，在沉積所述氮化物層時通入含氧氣體，且含氧氣體的通入量隨著氮化物層的沉積過程的進行而遞增。

可選的，所述含氧氣體包括：一氧化氮氣體或一氧化二氮氣體。