[發明專利]一種堆疊結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202011504926.6
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN112635475A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 楊事成;張莉;闕鳳森;賀曉平;陳冠樺;施生巍;李康;鐘磊
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱宗力

1.一種堆疊結構，其特征在于，應用于三維NAND存儲器，所述堆疊結構基于襯底設置，所述堆疊結構包括：

位于所述襯底上交替堆疊設置的氮化物層和氧化物層；

所述氮化物層至少包括部分摻氧氮化物層，所述摻氧氮化物層與位于所述氮化物層背離所述襯底一側的氧化物層毗鄰。

2.根據權利要求1所述的堆疊結構，其特征在于，所述氮化物層包括：

第一氮化物層；

位于所述第一氮化物層背離所述襯底一側的第一摻氧氮化物層。

3.根據權利要求2所述的堆疊結構，其特征在于，所述第一氮化物層包括氮化硅層；

所述第一摻氧氮化物層包括摻氧氮化硅層。

4.根據權利要求1所述的堆疊結構，其特征在于，所述氮化物層包括：

第二摻氧氮化物層，所述第二摻氧氮化物層的摻氧濃度沿第一方向遞增，所述第一方向垂直與所述襯底，且由所述襯底指向所述堆疊結構。

5.根據權利要求4所述的堆疊結構，其特征在于，所述第二摻氧氮化物層包括摻氧氮化硅層。

6.根據權利要求1所述的堆疊結構，其特征在于，還包括：

貫穿所述堆疊結構，且暴露出所述襯底的通孔。

7.一種堆疊結構的制備方法，其特征在于，應用于三維NAND存儲器，所述堆疊結構的制備方法包括：

提供襯底；

在所述襯底上依次交替沉積氮化物層和氧化物層，以形成位于所述襯底上交替堆疊設置的氮化物層和氧化物層；所述氮化物層至少包括部分摻氧氮化物層，所述摻氧氮化物層與位于所述氮化物層背離所述襯底一側的氧化物層毗鄰。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底上依次交替沉積氮化物層和氧化物層包括：

在所述襯底上依次交替沉積氮化物層和氧化物層，至少在形成所述氮化物層的后段制程中，通入含氧氣體。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底上依次交替沉積氮化物層和氧化物層包括：

在所述襯底上依次交替沉積氮化物層和氧化物層，在沉積所述氮化物層時通入含氧氣體，且含氧氣體的通入量隨著氮化物層的沉積過程的進行而遞增。

10.根據權利要求8或9任一項所述的方法，其特征在于，所述含氧氣體包括：一氧化氮氣體或一氧化二氮氣體。