[發明專利]成膜裝置、使用其的成膜方法及電子器件的制造方法

有效

• 申請號: 202011503085.7
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN113005403B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發明（設計）人: 石井博;柏倉一史
• 申請（專利權）人: 佳能特機株式會社
• 主分類號: C23C14/12
• 分類號: C23C14/12;C23C14/24;C23C14/50;H10K71/16;H10K59/10
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 韓卉

1.一種成膜裝置，經由掩模在基板上對成膜材料進行成膜，其特征在于，所述成膜裝置包括：

基板支承部，其配置于腔室內，支承所述基板的周緣部；

基板吸附部件，其配置于所述腔室內的所述基板支承部的上方，用于吸附由所述基板支承部支承的所述基板；以及

控制部，其控制所述基板支承部朝向所述基板吸附部件的升降，

所述基板支承部至少包括：

第1支承部，其支承所述基板的經由第1角相鄰的2個邊各自的所述第1角的附近；

第2支承部，其支承所述基板的經由所述第1角的對角即第2角相鄰的2個邊各自的所述第2角的附近；以及

第3支承部，其支承所述基板的經由與所述第1角及所述第2角不同的第3角相鄰的2個邊的所述第3角的附近，

所述基板吸附部件是具有分別被施加用于吸附所述基板的吸附電壓的分割的多個電極部的靜電吸盤，

作為所述基板支承部的升降和所述基板吸附部件的控制，執行如下控制：

與使所述第1支承部上升而接近所述基板吸附部件對應地，向所述多個電極部中的配置于與所述第1角的附近對應的位置的電極部施加用于吸附所述基板的吸附電壓的第1控制；

在所述第1控制之后，與使所述第3支承部上升而接近所述基板吸附部件對應地，向所述多個電極部中的配置于與所述第3角的附近對應的位置的電極部施加用于吸附所述基板的吸附電壓的第2控制；以及

在所述第2控制之后，與使所述第2支承部上升而接近所述基板吸附部件對應地，向所述多個電極部中的配置于與所述第2角的附近對應的位置的電極部施加用于吸附所述基板的吸附電壓的第3控制。

2.根據權利要求1所述的成膜裝置，其特征在于，

所述基板支承部包括第4支承部，所述第4支承部支承所述基板的經由所述第3角的對角即第4角相鄰的2個邊各自的所述第4角的附近，

在所述第2控制中，與使所述第4支承部上升而接近所述基板吸附部件對應地，向所述多個電極部中的配置于與所述第4角的附近對應的位置的電極部施加用于吸附所述基板的吸附電壓。

3.根據權利要求2所述的成膜裝置，其特征在于，

在所述第2控制中，使所述第3支承部及第4支承部一起上升。

4.根據權利要求2所述的成膜裝置，其特征在于，

在所述第2控制中，使所述第3支承部及第4支承部依次上升。

5.一種成膜方法，在成膜裝置的腔室內，經由掩模在基板的成膜面上對成膜材料進行成膜，其特征在于，所述成膜方法包括：

通過基板支承部支承送入到腔室內的所述基板的周緣部的步驟；

使配置于所述腔室內的所述基板支承部的上方的基板吸附部件吸附所述基板的所述成膜面的相反側的面的步驟；以及

將從成膜源放出的成膜材料經由所述掩模在所述基板的所述成膜面上成膜的步驟，

所述基板吸附部件是具有分別被施加用于吸附所述基板的吸附電壓的分割的多個電極部的靜電吸盤，

所述基板支承部至少包括：

第1支承部，其支承所述基板的經由第1角相鄰的2個邊各自的所述第1角的附近；

第2支承部，其支承所述基板的經由所述第1角的對角即第2角相鄰的2個邊各自的所述第2角的附近；以及

第3支承部，其支承所述基板的經由與所述第1角及所述第2角不同的第3角相鄰的2個邊的所述第3角的附近，

所述吸附的步驟包括：

與使所述第1支承部上升而接近所述基板吸附部件對應地，向所述多個電極部中的配置于與所述第1角的附近對應的位置的電極部施加用于吸附所述基板的吸附電壓的第1步驟；

在所述第1步驟之后，與使所述第3支承部上升而接近所述基板吸附部件對應地，向所述多個電極部中的配置于與所述第3角的附近對應的位置的電極部施加用于吸附所述基板的吸附電壓的第2步驟；以及

在所述第2步驟之后，與使所述第2支承部上升而接近所述基板吸附部件對應地，向所述多個電極部中的配置于與所述第2角的附近對應的位置的電極部施加用于吸附所述基板的吸附電壓的第3步驟。