[發(fā)明專利]柔性雙陽離子摻雜的CZTSSe太陽電池界面鈍化方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011502106.3 | 申請日: | 2020-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN112490332B | 公開(公告)日: | 2022-07-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 程樹英;嚴瓊;鄧輝;孫全震;楊志遠;謝暐昊 | 申請(專利權)人: | 福州大學 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 福州元創(chuàng)專利商標代理有限公司 35100 | 代理人: | 丘鴻超;蔡學俊 |
| 地址: | 350108 福建省福州市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 陽離子 摻雜 cztsse 太陽電池 界面 鈍化 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種柔性雙陽離子摻雜的CZTSSe太陽電池界面鈍化方法,其特征在于,在CZTSSe/CdS異質結界面形成Li摻雜,實現晶界處納米電場反轉,鈍化異質結界面缺陷,抑制載流子復合;在CZTSSe/Mo背接觸界面形成Ge摻雜,實現能帶調控,鈍化背接觸界面缺陷,抑制電子流向背接觸界面,減小界面復合。該方法不僅有利于提高電池的光電轉換效率,而且工藝簡單、成本低廉、綠色環(huán)保,滿足了大規(guī)模批量生產與商業(yè)化的需求,制備的柔性CZTSSe太陽電池可安裝在非平面平臺上,具有較強的推廣與應用價值。
技術領域
本發(fā)明屬于太陽能電池技術領域,具體涉及一種柔性雙陽離子摻雜的銅鋅錫硫硒(CZTSSe)太陽電池界面鈍化方法。
背景技術
薄膜化和柔性化是太陽電池未來發(fā)展的重要方向。薄膜太陽電池因具有綠色環(huán)保、能耗低、可柔性等特點而備受關注,而柔性太陽電池可安裝在非平面平臺上,可望擴展太陽電池的應用領域。目前發(fā)展迅速的薄膜太陽電池包括鈣鈦礦薄膜太陽電池、超薄硅基薄膜太陽電池、銅基薄膜太陽電池(CIGS、CZTS、CZTSSe)、二元薄膜太陽電池(CdTe、SbS、SbSe)等。其中,CZTS(Se)薄膜元素豐度高、綠色環(huán)保、帶隙合適,極具商業(yè)化潛力,有望成為未來最具發(fā)展前景的薄膜太陽電池吸收層材料之一。
制約CZTSSe太陽電池效率提升的因素是吸收層的缺陷和界面問題,其中界面問題包括CZTSSe/CdS異質結界面和CZTSSe/Mo背接觸界面。因此界面鈍化是突破電池效率的有效技術路徑。
已報道的鈍化CZTSSe/CdS界面的方案如下:通過S和SnS混合氣氛硫化,減少界面缺陷,促進掩埋結形成,降低界面復合;優(yōu)化導帶階(CBO)的能級排列,降低界面復合;通過異質結熱處理,增加載流子壽命,極大降低界面復合。
已報道的鈍化CZTSSe/Mo界面的方案如下:加入高電導、高穩(wěn)定性中間層TiB2,這雖然抑制了MoSe2生成,但阻擋了Na擴散,使得吸收層結晶變差;加入“消耗性”中間層Ag、Bi,這雖然可以降低載流子復合,但阻擋了Na擴散,性能改善并不是很顯著;加入“重新分布型”中間層碳,這雖然無法消除背接觸的孔洞,但使碳在孔洞壁富集,促進載流子輸運;加入“自組裝開孔”中間層(超薄Al2O3),這可以消除背接觸的孔洞,極大抑制了MoSe2生成。
關于雙陽離子摻雜的研究很少,其主要用于剛性CZTS(Se)太陽電池,包括:通過Na、Sb共摻雜改善CZTS薄膜的結晶和位點無序,減少晶界處和界面處的復合,降低開路電壓損耗;通過Ag、Cd共摻雜減少CZTS價帶附近受主態(tài)缺陷和非輻射復合,從而增加少子壽命和少子擴散長度,增強載流子收集和開路電壓。目前還沒有通過Li、Ge雙陽離子摻雜進行CZTSSe太陽電池界面鈍化的相關研究。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種柔性雙陽離子摻雜的CZTSSe太陽電池界面鈍化方法,該方法有利于提高電池的光電轉換效率。
為實現上述目的,本發(fā)明采用的技術方案是:一種柔性雙陽離子摻雜的CZTSSe太陽電池界面鈍化方法,其特征在于,在CZTSSe/CdS異質結界面形成Li摻雜,實現晶界處納米電場反轉,鈍化異質結界面缺陷,抑制載流子復合;在CZTSSe/Mo背接觸界面形成Ge摻雜,實現能帶調控,鈍化背接觸界面缺陷,抑制電子流向背接觸界面,減小界面復合。
進一步地,在CZTSSe太陽電池中,吸收層為在兩側分別摻雜Li和Ge的CZTSSe薄膜,在CZTSSe/CdS異質結界面形成Li摻雜的濃度梯度,摻雜濃度從異質結界面到吸收層內部逐漸降低,在CZTSSe/Mo背接觸界面形成Ge摻雜的濃度梯度,摻雜濃度從背接觸界面到吸收層內部逐漸降低。
進一步地,該方法包括以下步驟:
(1)清洗柔性襯底并吹干備用;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





