[發明專利]薄膜晶體管基板和顯示設備

在審

• 申請號: 202011501932.6
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN113130511A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 李賢貞;金榮國;徐美善
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722
• 代理人: 李英艷;馮志云

本公開涉及一種薄膜晶體管基板和一種包括薄膜晶體管基板的顯示設備，所述顯示設備包括位于基板上的第一薄膜晶體管。所述第一薄膜晶體管包括：第一半導體層，具有第一溝道區、第一源極區和第一漏極區；第一下柵電極，位于所述基板與所述第一半導體層之間；第一上柵電極，位于所述第一半導體層上并與所述第一溝道區交疊；以及第一電極層，位于所述第一上柵電極上并電連接到所述第一源極區和所述第一漏極區中的至少一者。所述第一下柵電極與所述第一溝道區和所述第一漏極區交疊。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年12月30日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0178502號韓國專利申請的優先權和權益，上述韓國專利申請的全部內容通過引用并入本文。

技術領域

一個或多個實施例涉及薄膜晶體管基板和包括薄膜晶體管基板的顯示設備，并且涉及具有改善的分辨率的薄膜晶體管基板和包括薄膜晶體管基板的顯示設備。

背景技術

通常，顯示設備可以包括顯示元件和可以控制施加到顯示元件的電信號的驅動電路。驅動電路可以包括薄膜晶體管(TFT)、存儲電容器和布線。

為了精確地控制顯示元件的光發射和光發射的量，已經增加了電連接到顯示元件的TFT的數量。因此，已經積極地進行了研究以解決顯示設備的高集成度和功耗的問題。

應當理解，該技術背景部分部分地旨在為理解技術提供有用的背景。但是，該技術背景部分還可以包括在本文公開的主題的相應的有效提交日之前作為熟悉相關領域的技術人員并不知曉或了解的部分的想法、構思或認識。

發明內容

一個或多個實施例可以包括具有改善的分辨率的薄膜晶體管基板和包括薄膜晶體管基板的顯示設備。然而，這僅僅是示例，并且本公開的范圍不限于此。

附加方面將部分地在下面的描述中進行闡述，并部分地根據該描述將是明顯的，或者可以通過所給出的實施例的實施而獲知。

根據一個或多個實施例，一種薄膜晶體管基板可以包括設置在基板上的第一薄膜晶體管。所述第一薄膜晶體管可以包括：第一半導體層，包括第一溝道區、第一源極區和第一漏極區；第一下柵電極，設置在所述基板與所述第一半導體層之間；第一上柵電極，設置在所述第一半導體層上并與所述第一溝道區交疊；以及第一電極層，設置在所述第一上柵電極上并電連接到所述第一源極區和所述第一漏極區中的至少一者，其中，所述第一下柵電極可以與所述第一溝道區和所述第一漏極區交疊。

在實施例中，所述第一下柵電極可以與所述第一半導體層交疊，并且可以不與所述第一源極區交疊。

在實施例中，所述第一上柵電極可以包括與所述第一源極區相鄰的一端，所述第一下柵電極可以包括與所述第一源極區相鄰的一端，并且在平面圖中，所述第一上柵電極的所述一端和所述下柵電極的所述一端可以彼此重合。

在實施例中，在平面圖中，所述第一下柵電極和設置在所述基板上的導電層之間的距離可以與所述第一上柵電極和所述導電層之間的距離相同。

在實施例中，所述導電層可以是掃描線。

在實施例中，所述第一半導體層可以包括硅半導體材料或氧化物半導體材料。

在實施例中，所述薄膜晶體管基板還可以包括設置在所述基板上的第二薄膜晶體管。所述第二薄膜晶體管可以包括：第二半導體層；第二柵電極，與所述第二半導體層部分地交疊；以及第二電極層，設置在所述第二柵電極上并電連接到所述第二半導體層，其中，所述第一半導體層可以包括氧化物半導體材料，并且所述第二半導體層可以包括硅半導體材料。