[發明專利]薄膜晶體管基板和顯示設備

在審

• 申請號: 202011501932.6
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN113130511A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 李賢貞;金榮國;徐美善
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722
• 代理人: 李英艷;馮志云

1.一種薄膜晶體管基板，包括：

第一薄膜晶體管，設置在基板上，所述第一薄膜晶體管包括：

第一半導體層，包括第一溝道區、第一源極區和第一漏極區；

第一下柵電極，設置在所述基板與所述第一半導體層之間；

第一上柵電極，設置在所述第一半導體層上并與所述第一溝道區交疊；以及

第一電極層，設置在所述第一上柵電極上并電連接到所述第一源極區和所述第一漏極區中的至少一者，

其中，所述第一下柵電極與所述第一溝道區和所述第一漏極區交疊。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述第一下柵電極與所述第一半導體層交疊，并且不與所述第一源極區交疊。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，

所述第一上柵電極包括與所述第一源極區相鄰的一端，

所述第一下柵電極包括與所述第一源極區相鄰的一端，并且

在平面圖中，所述第一上柵電極的所述一端和所述下柵電極的所述一端彼此重合。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管基板，其中，在平面圖中，所述第一下柵電極和設置在所述基板上的導電層之間的距離與所述第一上柵電極和所述導電層之間的距離相同。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管基板，其中，所述導電層是掃描線。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述第一半導體層包括硅半導體材料或氧化物半導體材料。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述薄膜晶體管基板還包括：

第二薄膜晶體管，設置在所述基板上，所述第二薄膜晶體管包括：

第二半導體層；

第二柵電極，與所述第二半導體層部分地交疊；以及

第二電極層，設置在所述第二柵電極上并電連接到所述第二半導體層，其中，

所述第一半導體層包括氧化物半導體材料，并且

所述第二半導體層包括硅半導體材料。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管基板，其中，所述薄膜晶體管基板還包括：

第三薄膜晶體管，設置在所述基板上，所述第三薄膜晶體管包括：

第三半導體層，包括第三溝道區、第三源極區和第三漏極區；

第三下柵電極，設置在所述基板與所述第三半導體層之間；

第三上柵電極，設置在所述第三半導體層上并與所述第三溝道區交疊；以及

第三電極層，設置在所述第三上柵電極上并電連接到所述第三源極區和所述第三漏極區中的至少一者，其中，

所述第三下柵電極與所述第三溝道區和所述第三漏極區交疊，并且

所述第三半導體層包括氧化物半導體材料。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管基板，其中，所述第一半導體層和所述第三半導體層是彼此一體的，并且具有孤立的形狀。

10.根據權利要求8所述的薄膜晶體管基板，其中，所述第三下柵電極與所述第三半導體層交疊，并且不與所述第三源極區交疊。

11.根據權利要求8所述的薄膜晶體管基板，其中，

所述第三上柵電極包括與所述第三源極區相鄰的一端，

所述第三下柵電極包括與所述第三源極區相鄰的一端，并且

在平面圖中，所述第三上柵電極的所述一端和所述第三下柵電極的所述一端彼此重合。

12.根據權利要求8所述的薄膜晶體管基板，其中，

所述第一薄膜晶體管是補償薄膜晶體管，并且

所述第三薄膜晶體管是初始化薄膜晶體管。