[發明專利]連續精餾法生產電子級六氯二硅烷的方法有效
| 申請號： | 202011501755.1 | 申請日： | 2020-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN112479213B | 公開（公告）日： | 2023-09-19 |
| 發明（設計）人： | 何壽林;羅全安 | 申請（專利權）人： | 武漢新硅科技潛江有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/107 | 分類號： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 武漢江楚智匯知識產權代理事務所(普通合伙) 42228 | 代理人： | 鄧寅杰 |
| 地址： | 433100 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 連續 精餾 生產 電子 級六氯二 硅烷 方法 | ||
1.連續精餾法生產電子級六氯二硅烷的方法，其特征在于：包括以下步驟：
S1：以多晶硅廢料為原料生產六氯二硅烷粗料的步驟，所述六氯二硅烷粗料中六氯二硅烷純度75-85%；
S2：以六氯二硅烷粗料為原料生產電子級六氯二硅烷的步驟；
所述S1步驟包括：
S1.1：多晶硅廢料進入1塔，1塔頂采出以四氯化硅為主的輕組分進入2塔；
S1.2：2塔頂采出化工用四氯化硅，2塔釜含甲基硅烷高沸物的四氯化硅繼續回1塔分離；
S1.3：1塔釜含六氯二硅烷的高沸物進入3塔，3塔頂采出所述六氯二硅烷粗料，3塔釜殘渣排出；
S2中所述步驟包括：
S2.1：六氯二硅烷粗料進入脫重組分塔，高沸物、高聚硅和固體殘渣從塔釜排出；
S2.2：塔頂組分送入脫輕組分塔，加入分離媒介去除輕組分；
S2.3：塔釜料進入脫鋁塔，含鋁高的釜料從塔釜返回脫重組分塔，鋁在脫重組分塔釜聚集，與其它組分一起從脫重組分塔釜排出；
S2.4：經過脫鋁后的物料進入高純塔，進一步脫出高沸物從塔釜返回脫鋁塔，電子級六氯二硅烷從塔頂采出；
S2.2中所述分離媒介為能與六氯二硅氧烷形成正偏差、與六氯二硅烷形成負偏差的物質；
S2.1中，脫重組分塔塔頂溫度145±2℃，塔釜溫度170±5℃，塔頂壓力0.02MPa，塔釜壓力0.03?MPa；
S2.4中，高純塔塔頂溫度145±2℃，塔釜溫度160±2℃，塔頂壓力0.02MPa，塔釜壓力0.03?MPa。
2.根據權利要求1所述連續精餾法生產電子級六氯二硅烷的方法，其特征在于：所述分離媒介為沸點在50℃以下的硅烷或沸點在0℃以下的惰性氣體。
3.根據權利要求1所述連續精餾法生產電子級六氯二硅烷的方法，其特征在于：S2.2中，脫輕組分塔塔頂溫度150±2℃，塔釜溫度170±5℃，塔頂壓力0.02MPa，塔釜壓力0.03MPa。
4.根據權利要求1所述連續精餾法生產電子級六氯二硅烷的方法，其特征在于：S2.3中，脫鋁塔塔頂溫度120±2℃，塔釜溫度150±5℃，塔頂壓力-0.01MPa，塔釜壓力0.00?MPa。
5.根據權利要求1所述連續精餾法生產電子級六氯二硅烷的方法，其特征在于：所述電子級六氯二硅烷的純度99.95%以上，以金屬元素表示的純度99.999-99.99999%。
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