[發(fā)明專利]防孔銅剝離控深鑼加工工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011500525.3 | 申請日: | 2020-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN112752409A | 公開(公告)日: | 2021-05-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 廖海軍;唐兵英 | 申請(專利權(quán))人: | 廣州添利電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/00 | 分類號: | H05K3/00;H05K3/42 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 510000 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 防孔銅 剝離 控深鑼 加工 工藝 | ||
本發(fā)明公開了防孔銅剝離控深鑼加工工藝,制作PTH孔加工流程:來料檢查、刨床、核對資料進行深度調(diào)整、首板檢查、批量制作;PCB控深鑼機的鑼加工程序資料中鑼帶位置,針對控深鑼區(qū)域內(nèi)的PTH孔,每類孔徑增加一個控深鑼T;每類孔徑增加的控深鑼T,排一把比孔徑大0.2—0.3mm的平底鑼刀;每類孔徑增加的控深鑼T,鑼深深度比鑼臺階深度設定深2—3mil;PCB控深鑼機的鑼加工程序資料中,針對控深鑼區(qū)域內(nèi)的PTH孔,每個孔增加一個控深鑼X/Y坐標;PCB控深鑼機的鑼加工程序資料中,增加的鑼PTH孔的控深鑼T,需全部放在鑼臺階的鑼控深鑼T前。本發(fā)明具有控深鑼區(qū)域的PTH孔壁銅平整、牢固,不再有銅披鋒、脫落缺陷的優(yōu)點。
技術領域
本發(fā)明涉及PCB產(chǎn)品控深鑼加工技術領域,具體為防孔銅剝離控深鑼加工工藝。
背景技術
電路板的名稱有:陶瓷電路板,氧化鋁陶瓷電路板,氮化鋁陶瓷電路板,線路板,PCB板,鋁基板,高頻板,厚銅板,阻抗板,PCB,超薄線路板,超薄電路板,印刷(銅刻蝕技術)電路板等。電路板使電路迷你化、直觀化,對于固定電路的批量生產(chǎn)和優(yōu)化用電器布局起重要作用。
目前5G PCB產(chǎn)品中有許多Z軸方向的臺階設計,需采取控深鑼工藝進行加工;控深鑼工藝是,使用有第二Z軸設計的鑼機,夾取平底鑼刀鉆到目標深度后進行X/Y方向行刀,鑼去臺階位需要刨空的PCB層。
當前的控深鑼工藝,通過使用有第二Z軸設計的鑼機,夾取鑼刀鉆到目標深度后進行X/Y方向行刀,鑼去臺階位需要刨空的PCB層這種控深鑼工藝,在鑼切控深鑼區(qū)域內(nèi)的PTH時,因孔空心切屑出現(xiàn)失力,會對孔壁銅造成拉動,出現(xiàn)銅披鋒及孔壁銅脫落缺陷而報廢。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供防孔銅剝離控深鑼加工工藝,具備控深鑼區(qū)域的PTH孔壁銅平整、牢固,不再有銅披鋒、脫落缺陷的優(yōu)點,解決了在鑼切控深鑼區(qū)域內(nèi)的PTH時,因孔空心切屑出現(xiàn)失力,會對孔壁銅造成拉動,出現(xiàn)銅披鋒及孔壁銅脫落缺陷而報廢的問題。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術方案:防孔銅剝離控深鑼加工工藝,包括PCB控深鑼機,制作PTH孔加工流程:來料檢查、刨床、核對資料進行深度調(diào)整、首板檢查、批量制作;
控制要求:
S1、來料檢查:檢查工作板的大小和板的翹曲度;
S2、刨臺面:使用PCB控深鑼機鉆PTH孔,保證臺面平整;生產(chǎn)時先用資料把紙板鑼平,然后把紙上的垃圾清掃干凈并保證紙板不松動;生產(chǎn)時上刀,上刀時刀具套環(huán)上端緊挨著壓力腳,上刀后關閉自動抓刀功能;
S3、核對資料:核對PTH孔的深度、直徑和要求的角度與資料一致,選擇對應的沉頭鉆;
S4、上板:PCB板三邊用膠紙貼緊,防止PCB板曲翹。
作為本發(fā)明的進一步方案,PCB控深鑼機的鑼加工程序資料中鑼帶位置,針對控深鑼區(qū)域內(nèi)的PTH孔,每類孔徑增加一個控深鑼T。
作為本發(fā)明的進一步方案,每類孔徑增加的控深鑼T,排一把比孔徑大0.2—0.3mm的平底鑼刀。
作為本發(fā)明的進一步方案,每類孔徑增加的控深鑼T,鑼深深度比鑼臺階深度設定深2—3mil。
作為本發(fā)明的進一步方案,PCB控深鑼機的鑼加工程序資料中,針對控深鑼區(qū)域內(nèi)的PTH孔,每個孔增加一個控深鑼X/Y坐標。
作為本發(fā)明的進一步方案,PCB控深鑼機的鑼加工程序資料中,增加的鑼PTH孔的控深鑼T,需全部放在鑼臺階的鑼控深鑼T前。
與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明的有益效果如下:針對每類孔徑分別增加控深鑼T;針對每類孔徑分別排一把比孔徑大0.2—0.3mm的平底鑼刀;鑼PTH孔的鑼深深度比鑼臺階深度設定深2—3mil;鑼PTH孔的T全部排在鑼臺階前;針對控深鑼區(qū)域內(nèi)的PTH孔,每個孔增加一個控深鑼X/Y坐標。
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