[發明專利]鎢結構及形成所述結構的方法

有效

• 申請號: 202011499891.1
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN113130387B
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發明（設計）人: J·D·格林利;C·G·埃莫;T·蘭普頓;E·A·麥克蒂爾;R·J·克萊因
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種形成多層結構的方法，所述方法包括：

在襯底上方形成含硅材料，所述含硅材料包含摻雜劑；

將所述含硅材料的至少一部分轉化為鎢晶種材料，其中所述鎢晶種材料的大部分是β相鎢；及

在所述鎢晶種材料上方形成鎢填充物，其中所述鎢填充物的所述鎢的大部分是α相鎢，且所述鎢填充物的大部分具有具至少80nm的最大尺寸的晶粒大小。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：形成其中具有開口的電介質材料，所述開口相對于至少一個軸具有至少2:1的高寬比；及在所述開口內形成所述含硅材料的至少一部分。

3.根據權利要求2所述的方法，其進一步包括在所述開口內形成氮化鈦，及在所述氮化鈦上方形成所述含硅材料。

4.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述含硅材料包括同時沉積所述含硅材料與所述含硅材料的所述摻雜劑。

5.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述含硅材料包括沉積含硅材料及用所述摻雜劑摻雜所述經沉積的含硅材料。

6.根據權利要求5所述的方法，其中形成所述含硅材料是通過使用包括硅及氫的前體的化學氣相沉積來執行。

7.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述含硅材料是至少部分地通過化學氣相沉積CVD來執行。

8.根據權利要求4所述的方法，其中形成所述含硅材料及所述摻雜劑是通過使用乙硅烷前體及包含所述摻雜劑的第二前體的化學氣相沉積CVD來執行。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述摻雜劑包括氯。

10.根據權利要求8所述的方法，其中所述化學氣相沉積進一步包括使用二氯硅烷。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述摻雜劑包括氯、砷及磷中的一或多者。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述鎢晶種材料的大部分是β相鎢。

13.根據權利要求1所述的方法，其中將包括摻雜劑的所述含硅材料的至少一部分轉化為鎢晶種材料包括通過暴露于包括鎢的氣體來還原所述含硅材料。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述包括鎢的氣體包括六氟化鎢。

15.根據權利要求1所述的方法，其中所述鎢晶種材料及所述鎢填充物材料在所述襯底上方形成導電線。

16.根據權利要求1所述的方法，其中所述鎢填充物形成導電線，所述導電線在垂直于所述線的長度的平面中具有豎直橫截面，其中所述鎢填充物的所述豎直橫截面具有至少2:1的高寬比。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述鎢填充物的所述豎直橫截面具有至少20:1的高寬比。

18.根據權利要求1所述的方法，其中所述鎢晶種材料及所述鎢填充物材料在所述襯底上方形成源極線。

19.根據權利要求1所述的方法，其中所述鎢填充物材料的至少50％具有具至少100nm的最大尺寸的晶粒大小。