[發明專利]電介質組合物及電子部件

有效

• 申請號: 202011497129.X
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN113045306B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 井口俊宏;森崎信人
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: C04B35/468
• 分類號: C04B35/468;C04B35/49;H01G4/12
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;丁哲音

本發明提供一種密度高，并且呈現較高的強度的電介質組合物。電介質組合物包含主相和Ca?RE?Si?O偏析相。主相包含以ABOsubgt;3/subgt;表示的主成分，A包含選自鋇及鈣中的至少任意一種，B包含選自鈦及鋯中的至少任意一種，Ca?RE?Si?O偏析相的(Si/Ca)摩爾比及(Si/RE)摩爾比分別大于1，Ca?RE?Si?O偏析相的長軸的平均長度為主相的平均粒徑的1.30～2.80倍，Ca?RE?Si?O偏析相的短軸的平均長度為主相的平均粒徑的0.21～0.48倍。

技術領域

本發明涉及一種電介質組合物、及具備由該電介質組合物構成的電介質層的電子部件。

背景技術

在裝入電子設備的電子電路或電源電路中搭載多個利用電介質表現的介電特性的層疊陶瓷電容器那樣的電子部件。專利文獻1中記載有一種電介質陶瓷，其在主結晶顆粒表面形成有由含有堿土元素、稀土元素及Si的復合氧化物構成的包覆層。

但是，明確了上述的電介質陶瓷的密度不足夠高，并且強度不充分。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2002-293617號公報

發明內容

發明所要解決的技術問題

本發明是鑒于這樣的實際狀況而研發的，其目的在于提供一種密度高并且呈現較高的強度的電介質組合物和具備由該電介質組合物構成的電介質層的電子部件。

用于解決技術問題的方案

為了達成上述目的，本發明所涉及的電介質組合物是包含主相和?Ca-RE-Si-O偏析相的電介質組合物，其中，

所述主相包含以ABO₃表示的主成分，

所述A包含選自鋇及鈣中的至少任意一種，

所述B包含選自鈦及鋯中的至少任意一種，

所述RE表示稀土元素，

將所述Ca-RE-Si-O偏析相中包含的硅相對于所述Ca-RE-Si-O偏析相中包含的鈣的摩爾比表示為(Si/Ca)摩爾比時，

所述(Si/Ca)摩爾比大于1，

將所述Ca-RE-Si-O偏析相中包含的硅相對于所述Ca-RE-Si-O偏析相中包含的稀土元素的摩爾比表示為(Si/RE)摩爾比時，

所述(Si/RE)摩爾比大于1，

所述Ca-RE-Si-O偏析相的長軸的平均長度為所述主相的平均粒徑的1.30～2.80倍，

所述Ca-RE-Si-O偏析相的短軸的平均長度為所述主相的平均粒徑的0.21～0.48倍。

本發明所涉及的電介質組合物中，將所述Ca-RE-Si-O偏析相中包含的稀土元素相對于所述Ca-RE-Si-O偏析相中包含的鈣的摩爾比表示為(RE/Ca)摩爾比時，所述(RE/Ca)摩爾比優選大于1。

本發明所涉及的電介質組合物中，所述RE優選為選自釔、鏑及鈥中的至少一種。

本發明所涉及的電介質組合物中，將所述Ca-RE-Si-O偏析相中包含的氧以外的元素的合計設為1摩爾份時，所述Ca-RE-Si-O偏析相中包含的鈣、稀土元素及硅的合計優選為0.9摩爾份以上。

本發明所涉及的電介質組合物中，所述Ca-RE-Si-O偏析相的晶系優選為六方晶系。

本發明所涉及的電介質組合物中，所述Ca-RE-Si-O偏析相的空間群優選為P6₃/m。