[發(fā)明專利]電介質(zhì)組合物及電子部件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011497129.X
• 申請(qǐng)日: 2020-12-17
• 公開（公告）號(hào): CN113045306B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 井口俊宏;森崎信人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TDK株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C04B35/468
• 分類號(hào): C04B35/468;C04B35/49;H01G4/12
• 代理公司: 北京尚誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;丁哲音

1.一種電介質(zhì)組合物，其中，

所述電介質(zhì)組合物包含主相和Ca-RE-Si-O偏析相，

所述主相包含以ABO₃表示的主成分，

所述A為選自鋇及鈣中的至少任意一種，

所述B為選自鈦及鋯中的至少任意一種，

所述RE表示稀土元素，

將所述Ca-RE-Si-O偏析相中包含的硅相對(duì)于所述Ca-RE-Si-O偏析相中包含的鈣的摩爾比表示為Si/Ca摩爾比時(shí)，

所述Si/Ca摩爾比為1.72以上4.00以下，

將所述Ca-RE-Si-O偏析相中包含的硅相對(duì)于所述Ca-RE-Si-O偏析相中包含的稀土元素的摩爾比表示為Si/RE摩爾比時(shí)，

所述Si/RE摩爾比為1.06以上3.00以下，

所述Ca-RE-Si-O偏析相的長軸的平均長度為所述主相的平均粒徑的1.30～2.80倍，

所述Ca-RE-Si-O偏析相的短軸的平均長度為所述主相的平均粒徑的0.21～0.48倍。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)組合物，其中，

將所述Ca-RE-Si-O偏析相中包含的稀土元素相對(duì)于所述Ca-RE-Si-O偏析相中包含的鈣的摩爾比表示為RE/Ca摩爾比時(shí)，

所述RE/Ca摩爾比大于1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)組合物，其中，

所述RE為選自釔、鏑及鈥中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)組合物，其中，

將所述Ca-RE-Si-O偏析相中包含的氧以外的元素的合計(jì)設(shè)為1摩爾份時(shí)，所述Ca-RE-Si-O偏析相中包含的鈣、稀土元素及硅的合計(jì)為0.9摩爾份以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)組合物，其中，

所述Ca-RE-Si-O偏析相的晶系為六方晶系。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的電介質(zhì)組合物，其中，

所述Ca-RE-Si-O偏析相的空間群為P6₃/m。

7.一種電子部件，其中，

具備權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的電介質(zhì)組合物。