[發明專利]一種適用半導體集成電路的光刻膠剝離液及制備方法

在審

• 申請號: 202011496510.4
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN112731777A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 劉江華;馮繼恒;尹淞;魯晨泓;張建
• 申請（專利權）人: 芯越微電子材料（嘉興）有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種適用半導體集成電路的光刻膠剝離液及制備方法，包括非腐蝕性有機胺和極性非離子溶劑；以質量百分比計，非腐蝕性有機胺1?70％，極性非離子溶劑30?99％。本發明不含有腐蝕性的強堿，清洗后無光刻膠殘留，可直接水洗，不會產生金屬層腐蝕。

技術領域

本發明涉及一種適用半導體集成電路的光刻膠剝離液及制備方法。

背景技術

光刻工藝是半導體以及顯示領域制造中最為重要的步驟之一。主要作用是將掩膜板上的圖形復制到硅片或者其它襯底上，為下一步進行刻蝕或者離子注入工序做好準備。在光刻過程中，需在襯底上涂一層光刻膠，經紫外線曝光后，光刻膠的化學性質發生變化，在通過顯影后，被曝光的正型光刻膠(負型光刻膠為未曝光區被顯影去除)將被去除，從而實現將電路圖形由掩膜版轉移到光刻膠上。再經過刻蝕過程，實現電路圖形由光刻膠轉移到襯底上。完成上述圖案化轉移之后，需要將光刻膠及其殘余物清洗干凈以便進行下一步的操作。

當前的光刻膠剝離液主要成分含有電離較強的有機胺。如下所示:

如美國杜邦EKC200系列光刻膠剝離液產品，中國臺灣三福三福M15系列等產品，由于含有腐蝕性或者電離較強的有機胺，都需要IPA(異丙醇)、NMP(N-甲基吡咯烷酮)等中間溶劑的潤洗，這會造成成本的增加和工藝流程。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是光刻膠剝離液不含有腐蝕性的有機胺，清洗后無光刻膠殘留，可直接水洗，不會產生金屬層腐蝕。

本發明適用半導體集成電路的光刻膠剝離液是通過以下技術方案來實現的：包括非腐蝕性有機胺和極性非離子溶劑；以質量百分比計，非腐蝕性有機胺 1-70％，極性非離子溶劑30-99％。

作為優選的技術方案，以質量百分比計，非腐蝕性有機胺5-45％，極性非離子溶劑60-98％。

作為優選的技術方案，非腐蝕性有機胺選自二乙醇胺、三乙醇胺、3-丙醇胺、單異丙醇、二異丙醇胺、三異丙醇胺、二甘醇胺、三甘醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N’N-二甲基乙醇胺、N’N-二乙基乙醇胺、N-芐基-N-甲基乙醇胺、環已胺、哌嗪、嗎啉、羥胺、已內酰胺中的一種或幾種。

作為優選的技術方案，極性非質子性溶劑選自甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N- 甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、二甲基亞砜、四氫噻吩砜、乙腈、芐腈、N-甲基-吡咯烷酮、N-乙基-吡咯烷酮、1-環已基-2-吡咯烷酮、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丁醚、二乙二醇二甲醚、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚、四甘醇二甲醚、六亞甲基四胺、碳酸丙烯酯中的一種或幾種。

作為優選的技術方案，光刻膠剝離液還包括緩蝕劑，以質量百分比為計，緩蝕劑0-20％。

作為優選的技術方案，以質量百分比為計，緩蝕劑0-10％；緩蝕劑選自與氧有作用的緩蝕劑或者與基底具有吸附或者螯和作用的緩蝕劑。

作為優選的技術方案，與氧有作用的緩蝕劑選自碳酸肼、二羥乙基肼、乙酰肼、2-肼基乙酰胺、羥胺、2-乙基羥胺、N,N-二乙基羥胺以及乙酰羥胺；具有吸附或者螯和作用的緩蝕劑選自醇類、酚類、唑類以及羧酸類。