[發明專利]一種適用半導體集成電路的光刻膠剝離液及制備方法

在審

• 申請號: 202011496510.4
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN112731777A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 劉江華;馮繼恒;尹淞;魯晨泓;張建
• 申請（專利權）人: 芯越微電子材料（嘉興）有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種適用半導體集成電路的光刻膠剝離液，其特征在于：包括非腐蝕性有機胺和極性非離子溶劑；以質量百分比計，非腐蝕性有機胺1-70％，極性非離子溶劑30-99％。

2.根據權利要求1所述的適用半導體集成電路的光刻膠剝離液，其特征在于：以質量百分比計，非腐蝕性有機胺5-45％，極性非離子溶劑60-98％。

3.根據權利要求1所述的適用半導體集成電路的光刻膠剝離液，其特征在于：非腐蝕性有機胺選自二乙醇胺、三乙醇胺、3-丙醇胺、單異丙醇、二異丙醇胺、三異丙醇胺、二甘醇胺、三甘醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N’N-二甲基乙醇胺、N’N-二乙基乙醇胺、N-芐基-N-甲基乙醇胺、環已胺、哌嗪、嗎啉、羥胺、已內酰胺中的一種或幾種。

4.根據權利要求1所述的適用半導體集成電路的光刻膠剝離液，其特征在于：極性非質子性溶劑選自甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、二甲基亞砜、四氫噻吩砜、乙腈、芐腈、N-甲基-吡咯烷酮、N-乙基-吡咯烷酮、1-環已基-2-吡咯烷酮、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丁醚、二乙二醇二甲醚、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚、四甘醇二甲醚、六亞甲基四胺、碳酸丙烯酯中的一種或幾種。

5.根據權利要求1所述的適用半導體集成電路的光刻膠剝離液，其特征在于：所述光刻膠剝離液還包括緩蝕劑，以質量百分比為計，緩蝕劑0-20％。

6.根據權利要求5所述的適用半導體集成電路的光刻膠剝離液，其特征在于：以質量百分比為計，緩蝕劑0-10％；所述緩蝕劑選自與氧有作用的緩蝕劑或者與基底具有吸附或者螯和作用的緩蝕劑。

7.根據權利要求5所述的適用半導體集成電路的光刻膠剝離液，其特征在于：與氧有作用的緩蝕劑選自碳酸肼、二羥乙基肼、乙酰肼、2-肼基乙酰胺、羥胺、2-乙基羥胺、N,N-二乙基羥胺以及乙酰羥胺；具有吸附或者螯和作用的緩蝕劑選自醇類、酚類、唑類以及羧酸類。

8.根據權利要求7所述的適用半導體集成電路的光刻膠剝離液，其特征在于：具有吸附或者螯和作用的緩蝕劑的醇類選自乙二醇、1,2-丙二醇、丙三醇、二乙二醇、二丙二醇、赤蘚糖醇、木糖醇、山梨糖醇、甲硫醇、乙硫醇、乙二硫醇、1-丙硫醇、1,3-丙二硫醇、芐硫醇、叔丁基硫醇、1-己硫醇、1-十二烷基硫醇、1-十六烷基硫醇中的一種或幾種；具有吸附或者螯和作用的緩蝕劑的酚類選自鄰苯二酚，間苯二酚、對苯二酚、4-甲基鄰苯二酚、4-叔丁基鄰苯二酚、4-羧基鄰苯二酚、鄰苯三酚、沒食子酸、沒食子酸甲酯、沒食子酸乙酯和沒食子酸正丙酯中的一種或幾種；具有吸附或者螯和作用的緩蝕劑的唑類選自1,2,4-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、4-氨基-1,2,4-三唑、5-氨基四唑、苯并咪唑、2-巰基-1-甲基咪唑、2-巰基苯并惡唑、巰基-苯并噻唑、苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、1-羥基苯并三唑、1-苯基-5-巰基四氮唑中的一種或幾種。

9.一種適用半導體集成電路的光刻膠剝離液的制備方法，其特征在于：制備流程：將非腐蝕性有機胺、極性非離子溶劑和緩蝕劑依次加入攪拌溶解，在溶解過程中要控制有機堿放熱的現象，整個溶解過程溫度控制在30度以下，溶解完全后用0.1um的濾芯過濾。