[發(fā)明專利]一種疏水高分子膜負(fù)載蒸鍍金屬氣體擴(kuò)散電極、制備方法及其應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011492413.8 | 申請日： | 2020-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN112647090A | 公開（公告）日： | 2021-04-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊化桂;曹琳;劉鵬飛;程軍;吳雪楓;毛芳欣;袁海洋;楊曉華 | 申請（專利權(quán)）人： | 華東理工大學(xué) |
| 主分類號： | C25B11/032 | 分類號： | C25B11/032;C25B11/075;C23C14/20;C23C14/24;C25B3/26;C25B3/03;C25B3/07 |
| 代理公司： | 上海順華專利代理有限責(zé)任公司 31203 | 代理人： | 顧蘭芳 |
| 地址： | 200237 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 疏水 高分子 負(fù)載 鍍金 氣體 擴(kuò)散 電極 制備 方法 及其 應(yīng)用 | ||
1.一種疏水高分子膜負(fù)載蒸鍍金屬氣體擴(kuò)散電極的制備方法，其特征在于，包含以下步驟：
疏水高分子膜的表面用氮?dú)饣驓鍤獯祾吒蓛?；在疏水高分子膜上蒸鍍一層厚度?-1000nm的金屬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疏水高分子膜負(fù)載蒸鍍金屬氣體擴(kuò)散電極的制備方法，其特征在于，所述在疏水高分子膜上蒸鍍一層厚度為100-900nm的金屬優(yōu)選厚度為300-800nm的金屬；更優(yōu)選厚度為500-700nm的金屬。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的疏水高分子膜負(fù)載蒸鍍金屬氣體擴(kuò)散電極的制備方法，其特征在于，所述在疏水高分子膜上蒸鍍一層厚度為600nm的金屬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疏水高分子膜負(fù)載蒸鍍金屬氣體擴(kuò)散電極的制備方法，其特征在于，所述疏水高分子膜孔徑為0.1-1μm；優(yōu)選孔徑為0.3-0.8μm，更優(yōu)選孔徑為0.4-0.6μm，最優(yōu)選孔徑為0.45μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疏水高分子膜負(fù)載蒸鍍金屬氣體擴(kuò)散電極的制備方法，其特征在于，所述疏水高分子膜是聚四氟乙烯。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疏水高分子膜負(fù)載蒸鍍金屬氣體擴(kuò)散電極的制備方法，其特征在于，所述疏水高分子膜中還有支撐材料，所述支撐材料是聚丙烯或聚對苯二甲酸乙二醇酯。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疏水高分子膜負(fù)載蒸鍍金屬氣體擴(kuò)散電極的制備方法，其特征在于，所述金屬材料是銅、銀、金或鋅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疏水高分子膜負(fù)載蒸鍍金屬氣體擴(kuò)散電極的制備方法，其特征在于，蒸鍍時(shí)的真空度為6×10-4-1×10-5Pa，蒸鍍速率為
9.一種根據(jù)權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)制備方法得到的疏水高分子膜負(fù)載蒸鍍金屬氣體擴(kuò)散電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的疏水高分子膜負(fù)載蒸鍍金屬氣體擴(kuò)散電極，應(yīng)用于電化學(xué)還原二氧化碳領(lǐng)域。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華東理工大學(xué)，未經(jīng)華東理工大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011492413.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
