[發(fā)明專利]一種適用于不同外形結(jié)構(gòu)被加熱部件的環(huán)保綠色半導(dǎo)體電熱膜及其制備方法

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• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號(hào): CN112616205A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊子;銀霞
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市熱客派爾熱力科技有限公司
• 主分類號(hào): H05B3/06
• 分類號(hào): H05B3/06;H05B3/02;H05B3/14;H05B3/16;H05B3/26;C23C14/10;C23C14/24;C23C14/08
• 代理公司: 無錫風(fēng)創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32461
• 代理人: 邱國棟

1.一種適用于不同外形結(jié)構(gòu)被加熱部件的環(huán)保綠色半導(dǎo)體電熱膜，所述環(huán)保綠色半導(dǎo)體電熱膜包括：金屬基材、氧化錫銻電熱膜以及介于金屬基材和氧化錫銻電熱膜之間的二氧化硅介質(zhì)層；其中，所述金屬基材根據(jù)被加熱件的外形結(jié)構(gòu)可加工成帶凸起結(jié)構(gòu)或者帶凹坑結(jié)構(gòu)的金屬基材。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)保綠色半導(dǎo)體電熱膜，其特征在于：所述被加熱部件外形包括凸起部或凹坑部之一或其組合，所述金屬基底的凸起結(jié)構(gòu)與被加熱部件的凹坑部對應(yīng)，所述金屬基底的凹坑結(jié)構(gòu)與被加熱部件的凸起部對應(yīng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)保綠色半導(dǎo)體電熱膜，其特征在于：所述凸起結(jié)構(gòu)或者凹坑結(jié)構(gòu)具體為半圓球狀、金字塔形、半橢球形、正方體形、梯形凸起結(jié)構(gòu)中的任一種或其組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)保綠色半導(dǎo)體電熱膜，其特征在于：所述二氧化硅介質(zhì)層和所述氧化錫銻層依次均勻地平鋪在所述帶凸起結(jié)構(gòu)或者帶凹坑結(jié)構(gòu)的金屬基材上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)保綠色半導(dǎo)體電熱膜，其特征在于：所述被加熱部件外形包括凸起部或凹坑部以及平整部，所述帶凸起結(jié)構(gòu)或者帶凹坑結(jié)構(gòu)的金屬基材包括第一凸起或凹坑結(jié)構(gòu)以及第二凸起或凹坑結(jié)構(gòu)，所述第一凸起或凹坑結(jié)構(gòu)與被加熱部件的凹坑部或凸起部外形一一對應(yīng)，所述第二凸起或凹坑結(jié)構(gòu)與被加熱部件的平整部一一對應(yīng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)保綠色半導(dǎo)體電熱膜，其特征在于：所述第二凸起或凹坑結(jié)構(gòu)的尺寸小于第一凸起或凹坑結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)保綠色半導(dǎo)體電熱膜，其特征在于：所述氧化錫銻電熱膜中二氧化錫和三氧化二銻的質(zhì)量比為1:1至1:1.5。

8.一種如權(quán)利要求1-7任一所述的環(huán)保綠色半導(dǎo)體電熱膜的制備方法，具體包括如下方法步驟：

(1)金屬基材預(yù)處理，根據(jù)被加熱件的外形結(jié)構(gòu)，將金屬基材進(jìn)行沖壓成型處理從而得到帶凸起結(jié)構(gòu)或者帶凹坑結(jié)構(gòu)的金屬基材，接著對帶凸起結(jié)構(gòu)或者凹坑結(jié)構(gòu)的金屬基材進(jìn)行超聲清洗以去除表面污物。

(2)沉積二氧化硅介質(zhì)層，將步驟(1)中的金屬基材放入真空鍍膜機(jī)的樣品臺(tái)上，以二氧化硅作為蒸鍍源，關(guān)閉蒸發(fā)鍍膜裝置并抽真空，隨后開啟蒸發(fā)鍍膜裝置，在帶凸起結(jié)構(gòu)或者帶凹坑結(jié)構(gòu)的金屬基材表面蒸鍍一層二氧化硅介質(zhì)層。

(3)沉積氧化錫銻層，以氧化錫銻作為蒸鍍源，調(diào)節(jié)相應(yīng)地蒸鍍工藝，在步驟(2)中獲得的二氧化硅介質(zhì)層表面沉積一層氧化錫銻層，從而獲得環(huán)保綠色半導(dǎo)體電熱膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中具體蒸鍍工藝為：對真空鍍膜機(jī)進(jìn)行抽真空，當(dāng)真空度達(dá)到4×10^-3Pa以下時(shí)，開始充入O₂至工作氣壓0.5Pa,以氧化錫銻作為蒸鍍源，蒸鍍電壓2.5kV，電子束流為15mA，基板溫度為450℃，沉積速率控制在