[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制造方法和包括薄膜晶體管的顯示設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011491434.8
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN113054033A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張宰滿;徐廷錫;尹弼相;趙寅晫
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

公開了一種薄膜晶體管及其制造方法和包括薄膜晶體管的顯示設(shè)備，其中薄膜晶體管包括：形成在基板上的半導(dǎo)體；形成在半導(dǎo)體上的柵極絕緣膜；形成在柵極絕緣膜上的柵極電極；形成在基板上的第一絕緣膜；第一導(dǎo)體部分，其形成在第一絕緣膜上并且形成在半導(dǎo)體的一側(cè)；和第二導(dǎo)體部分，其形成在第一絕緣膜上并且形成在半導(dǎo)體的另一側(cè)，其中在半導(dǎo)體與第一導(dǎo)體部分之間可形成有第一絕緣膜的第一部分，并且在半導(dǎo)體與第二導(dǎo)體部分之間可形成有第一絕緣膜的第二部分。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求享有于2019年12月27日提交的韓國專利申請No.10-2019-0176126的權(quán)益，通過引用將該專利申請并入本文，如同在本文完全闡述一樣。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管、制造薄膜晶體管的方法和包括薄膜晶體管的顯示設(shè)備。

背景技術(shù)

晶體管廣泛用作電子設(shè)備領(lǐng)域中的開關(guān)元件或驅(qū)動元件。特別是，由于可在玻璃基板或塑料基板上制造薄膜晶體管(TFT)，所以TFT廣泛用作諸如液晶顯示裝置或有機發(fā)光裝置之類的顯示設(shè)備的開關(guān)元件。

根據(jù)構(gòu)成有源層的材料的種類、電極(柵極電極、源極電極和漏極電極)的布置結(jié)構(gòu)、形成溝道的方法等，可以以各種結(jié)構(gòu)形成薄膜晶體管。

近來，廣泛使用氧化物半導(dǎo)體TFT(下文中，稱為氧化物TFT)，其具有比非晶硅TFT的遷移率更高的遷移率并且比多晶硅TFT更容易應(yīng)用于大尺寸區(qū)域。

氧化物TFT結(jié)構(gòu)的主要示例是共面結(jié)構(gòu)(coplanar structure)，在共面結(jié)構(gòu)中，沉積有在有源層上被圖案化的柵極絕緣層和柵極電極，并且布置在覆蓋沉積結(jié)構(gòu)的層間介電層上的源極電極和漏極電極分別通過穿過層間介電層的接觸孔與有源層的源極區(qū)域和漏極區(qū)域連接。

在共面結(jié)構(gòu)的氧化物TFT中，有源層的中間區(qū)域被用作溝道區(qū)域，溝道區(qū)域的兩側(cè)區(qū)域被導(dǎo)電化并用作源極區(qū)域和漏極區(qū)域。由于導(dǎo)電化的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的載流子濃度高于溝道區(qū)域的載流子濃度，所以產(chǎn)生從源極區(qū)域和漏極區(qū)域到溝道區(qū)域的氫擴散。

由于這種氫擴散，在源極區(qū)域與溝道區(qū)域之間以及漏極區(qū)域與溝道區(qū)域之間形成擴散區(qū)域(由于氫擴散而導(dǎo)致特性變化的區(qū)域)。擴散區(qū)域可導(dǎo)致劣化，并且考慮到TFT的制造工藝，難以調(diào)整擴散區(qū)域的寬度。由于這個原因，TFT的可靠性可劣化。

此外，如果溝道區(qū)域較短，則可改進(jìn)TFT的開關(guān)性能。擴散區(qū)域加劇了劣化，因而成為制造較短溝道區(qū)域的限制。

上述背景技術(shù)的公開內(nèi)容為本發(fā)明的發(fā)明人所擁有，以設(shè)計出本申請，或者上述背景技術(shù)的公開內(nèi)容是設(shè)計本申請的過程中獲得的技術(shù)信息，但不能認(rèn)為是在提交本申請之前對公眾公開的已知技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問題進(jìn)行了本發(fā)明，本發(fā)明的一個目的是提供一種薄膜晶體管、制造薄膜晶體管的方法和包括薄膜晶體管的顯示設(shè)備，其中薄膜晶體管被實現(xiàn)為防止在用作溝道的半導(dǎo)體與用作源極區(qū)域和漏極區(qū)域的第一導(dǎo)體部分和第二導(dǎo)體部分之間發(fā)生氫擴散。

本發(fā)明的另一個目的是提供一種薄膜晶體管、制造薄膜晶體管的方法和包括薄膜晶體管的顯示設(shè)備，其中通過防止在半導(dǎo)體與第一導(dǎo)體部分之間以及在半導(dǎo)體與第二導(dǎo)體部分之間產(chǎn)生擴散區(qū)域，薄膜晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)短溝道。

除了上述本發(fā)明的目的以外，所屬領(lǐng)域技術(shù)人員將從本發(fā)明的以下描述清楚理解到本發(fā)明的其他目的和特征。