[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制造方法和包括薄膜晶體管的顯示設(shè)備

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011491434.8
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN113054033A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張?jiān)诐M;徐廷錫;尹弼相;趙寅晫
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種薄膜晶體管，包括：

形成在基板上的半導(dǎo)體；

形成在所述半導(dǎo)體上的柵極絕緣膜；

形成在所述柵極絕緣膜上的柵極電極；

形成在所述基板上的第一絕緣膜；

第一導(dǎo)體部分，所述第一導(dǎo)體部分形成在所述第一絕緣膜上并且形成在所述半導(dǎo)體的一側(cè)；和

第二導(dǎo)體部分，所述第二導(dǎo)體部分形成在所述第一絕緣膜上并且形成在所述半導(dǎo)體的另一側(cè)，

其中在所述半導(dǎo)體與所述第一導(dǎo)體部分之間形成有所述第一絕緣膜的第一部分，并且在所述半導(dǎo)體與所述第二導(dǎo)體部分之間形成有所述第一絕緣膜的第二部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一絕緣膜的第一部分與所述半導(dǎo)體的一側(cè)和所述第一導(dǎo)體部分的一側(cè)直接接觸，并且所述第一絕緣膜的第二部分與所述半導(dǎo)體的另一側(cè)和所述第二導(dǎo)體部分的一側(cè)直接接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述半導(dǎo)體包括：

第一半導(dǎo)體層；和

形成在所述第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層，

其中所述第一絕緣膜的第一部分形成在所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層的每一個(gè)與所述第一導(dǎo)體部分之間，并且所述第一絕緣膜的第二部分形成在所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層的每一個(gè)與所述第二導(dǎo)體部分之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其中所述第一絕緣膜的第一部分與所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層的每一個(gè)的一側(cè)以及所述第一導(dǎo)體部分的一側(cè)直接接觸，并且所述第一絕緣膜的第二部分與所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層的每一個(gè)的另一側(cè)以及所述第二導(dǎo)體部分的一側(cè)直接接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其中所述第一半導(dǎo)體層由具有比所述第二半導(dǎo)體層的載流子濃度低的載流子濃度的材料形成，并且形成為比所述第二半導(dǎo)體層厚。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述半導(dǎo)體包括：

第一半導(dǎo)體層；

形成在所述第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層；和

形成在所述第二半導(dǎo)體層上的第三半導(dǎo)體層，

其中所述第一絕緣膜的第一部分形成在所述第一半導(dǎo)體層、所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層的每一個(gè)與所述第一導(dǎo)體部分之間，并且所述第一絕緣膜的第二部分形成在所述第一半導(dǎo)體層、所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層的每一個(gè)與所述第二導(dǎo)體部分之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其中所述第一絕緣膜的第一部分與所述第一半導(dǎo)體層、所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層的每一個(gè)的一側(cè)以及所述第一導(dǎo)體部分的一側(cè)直接接觸，并且所述第一絕緣膜的第二部分與所述第一半導(dǎo)體層、所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層的每一個(gè)的另一側(cè)以及所述第二導(dǎo)體部分的一側(cè)直接接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其中所述第一半導(dǎo)體層形成為比所述第二半導(dǎo)體層厚，并且所述第二半導(dǎo)體層形成為比所述第三半導(dǎo)體層厚。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一絕緣膜進(jìn)一步形成在所述第一導(dǎo)體部分的上表面與所述柵極絕緣膜的下表面之間以及在所述第二導(dǎo)體部分的上表面與所述柵極絕緣膜的下表面之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一絕緣膜進(jìn)一步形成為覆蓋所述柵極絕緣膜的側(cè)面和暴露的上表面以及所述柵極電極的側(cè)面和上表面。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，還包括：

第二絕緣膜，所述第二絕緣膜形成在所述基板上以覆蓋所述第一絕緣膜、所述第一導(dǎo)體部分和所述第二導(dǎo)體部分；

第一電極，所述第一電極形成在所述第二絕緣膜上并且通過形成在所述第二絕緣膜形中的第一接觸孔與所述第一導(dǎo)體部分接觸；和

第二電極，所述第二電極形成在所述第二絕緣膜上并且通過形成在所述第二絕緣膜形中的第二接觸孔與所述第二導(dǎo)體部分接觸。