[發明專利]半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 202011491189.0
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN113086942A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 崔準桓;金致淵
• 申請（專利權）人: 現代凱菲克株式會杜
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;田英愛

本發明涉及半導體器件的制造方法，本發明提供的半導體器件的制造方法包括：通過對第一基板的一側表面進行蝕刻來形成中空槽的步驟；在形成有上述中空槽的上述第一基板的一側表面附著包括硅層的第二基板的步驟；通過對上述第二基板進行蝕刻來僅保留硅層的步驟；在上述第二基板的硅層表面形成由至少一個層組成的薄膜結構的步驟；以及從上述第一基板分離形成薄膜結構的上述第二基板的步驟，由此，在半導體器件的工序過程中，通過在器件的下部形成中空槽結構來最終便于進行器件分離。

技術領域

本發明涉及半導體器件的制造方法，更詳細地，涉及在半導體器件的工序過程中，通過在器件的下部形成中空槽結構來最終便于進行器件分離。

背景技術

最近，隨著科學技術的發展，智能手機、筆記本電腦、內置設備等電子產品逐漸以小型化的趨勢發展，另一方面，隨著配置在一個電子產品的部件數量增加，對于每個部件的大小需求也以小型化的趨勢發展。

從可通過測定位置、加速度等外部信號來提供用于可使得中央處理裝置向使用人員提供必要信息的基本數據的方面上講，對于電子產品而言，傳感器非常重要。

其中，壓力傳感器作為一種能夠以物理量接收施加于傳感器的力的大小并將其變換為電信號輸出的器件，可根據壓力檢測方式分為壓阻式傳感器和靜電容量式傳感器，即，當通過半導體工序形成的薄膜并在基板的中間形成硅壓阻體來使薄膜因壓力而產生變形時，上述壓阻式傳感器可利用壓阻體的阻力變化，當電極板之間的間隔因外部應力產生變化時，上述靜電容量式傳感器可利用電極之間的靜電容量變化。

這種MEMS壓力傳感器通過在硅基板或鎵砷化合物等的III-V類化合物基板或藍寶石基板等的非導體基板上蒸鍍結構層和犧牲層后，通過用于去除犧牲層的蝕刻工序來從基板分離結構層，從而形成器件。

但是，制造基于犧牲層的MEMS壓力傳感器的現有技術具有如下問題，即，因結構層形成于犧牲層上部而使得蝕刻物質難以滲透至器件下部，從而使結構層受損，結果導致收率低下。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻0001：韓國授權專利公報第10-1923671號

發明內容

技術問題

本發明為了改善如上所述的現有半導體器件的制造方法有的問題而提出，本發明的目的在于，提供便于進行器件分離的半導體器件的制造方法。

技術方案

為了實現如上所述的目的，可通過下述方法提供半導體器件，本發明的半導體器件的制造方法的特征在于，包括：通過對第一基板的一側表面進行蝕刻來形成中空槽的步驟；在形成有中空槽的第一基板附著第二基板的步驟；通過對第二基板進行蝕刻來僅保留硅活性層的步驟；在第二基板的硅活性層表面形成薄膜結構的步驟；以及從第一基板分離形成薄膜結構的第二基板的步驟。

本發明的特征在于，上述第一基板為由鎵砷化合物或氮化鎵組成的III-V類化合物、硅、碳化硅、硅氧化物(SiOx)或鋁氧化物(AlOx)基板。

本發明的特征在于，上述第二基板20為硅基板或在硅基板上形成絕緣性氧化物層和單晶硅層的絕緣體上外延硅(SOI，Silicon on Insulator)基板。

本發明的特征在于，在形成上述第一基板的中空槽的步驟中，使用包含氫氧化鉀、氫氧化鈉、鄰苯二酚乙二胺(EDP，Ethylenediamine pyrocatechol)或四甲基氫氧化銨等的堿性氫氧化物、羥胺及硫代尿素類的堿性水溶液。

本發明的特征在于，在向上述第一基板附著上述第二基板的步驟中，以熔融焊接方式或混合焊接的方式進行附著。