[發(fā)明專利]半導體器件的制造方法

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• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN113086942A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設計）人: 崔準桓;金致淵
• 申請（專利權）人: 現(xiàn)代凱菲克株式會杜
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;田英愛

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

通過對第一基板(10)的一側表面進行蝕刻來形成中空槽(12)的步驟(S10)；

在形成有上述中空槽的上述第一基板的一側表面附著包括硅活性層(21)的第二基板(20)的步驟(S20)；

通過對上述第二基板進行蝕刻來僅保留硅活性層的步驟(S30)；

在上述第二基板的硅活性層表面形成由至少一個層組成的薄膜結構的步驟(S40)；以及

從上述第一基板分離形成薄膜結構的上述第二基板的步驟(S50)。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，上述第一基板(10)利用選自將由鎵砷化合物或氮化鎵組成的III-V類化合物、硅、碳化硅、硅氧化物或鋁氧化物包括在內的組中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在形成上述第一基板(10)的中空槽(11)的步驟(S10)中，使用包含選自氫氧化鉀、氫氧化鈉、鄰苯二酚乙二胺或四甲基氫氧化銨中的至少一種的堿性氫氧化物、羥胺及硫代尿素類的堿性水溶液。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，使用硅或絕緣體上外延硅基板來作為上述第二基板20。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在形成有中空槽(11)的上述第一基板(10)附著上述第二基板(20)的步驟(S20)中，以熔融焊接方式或混合焊接的方式進行附著。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，通過對上述第二基板(20)進行蝕刻來僅保留硅活性層(21)的步驟(S30)包括：

利用包含選自氫氧化鉀、氫氧化鈉、鄰苯二酚乙二胺及四甲基氫氧化銨的堿性氫氧化物、羥胺及硫代尿素類的堿性水溶液中的至少一種進行蝕刻的步驟；以及

使用含有氟化氫化合物的水溶液或含有氟化氫化合物的氣體進行蝕刻的步驟。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在上述第二基板(20)的一側表面形成薄膜結構的步驟(S40)中，向上述第二基板的硅層表面層疊通過熱氧化工序來使得硅活性層的一部分氧化而成的硅氧化物層(24)和使用低溫化學氣相沉積法在硅層的表面通過化學反應形成的硅氧化物層、硅氮化物層(25)。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在上述第二基板的一側表面形成薄膜結構的步驟(S40)中，在上述薄膜結構摻雜包含硼的P型摻雜劑后進行熱處理。

9.根據權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在上述第二基板的一側表面形成薄膜結構的步驟(S40)中，使用包含氬或硼類化合物中的至少一種的反應氣體來蝕刻薄膜結構。

10.根據權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在上述第二基板的一側表面形成薄膜結構的步驟(S40)中，蒸鍍鋁、銅、鎢中的任一種。

11.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在從上述第一基板分離上述第二基板的步驟(S50)中，使用真空吸附或鑷子來從上述第一基板分離上述第二基板。