[發明專利]成膜方法

在審

• 申請號: 202011489484.2
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN113025996A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 及川大海;高村侑矢
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/34;H01L21/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種成膜方法，是能夠控制膜厚的面內分布的技術。本公開的一個方式的成膜方法包括以下步驟：向處理容器內供給原料氣體的步驟；向所述處理容器內供給與所述原料氣體發生反應的反應氣體的步驟；以及在供給所述原料氣體的步驟之前執行的、在不供給所述原料氣體的情況下調整所述處理容器內的壓力的步驟，在所述成膜方法中，將包括供給所述原料氣體的步驟和供給所述反應氣體的步驟的循環執行多次，所述多次循環的至少一部分循環包括調整所述壓力的步驟。

技術領域

本公開涉及一種成膜方法。

背景技術

已知一種通過向由包括閥機構的真空排氣系統進行排氣的處理容器內交替地供給原料氣體和反應氣體來形成薄膜的成膜方法(例如參照專利文獻1)。在該成膜方法中，以將供給原料氣體時的閥機構的閥開度設定得比不供給原料氣體時的閥開度小的方式形成薄膜(例如參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2007-42823號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開提供一種能夠控制膜厚的面內分布的技術。

用于解決問題的方案

本公開的一個方式的成膜方法包括以下步驟：向處理容器內供給原料氣體的步驟；向所述處理容器內供給與所述原料氣體發生反應的反應氣體的步驟；以及在供給所述原料氣體的步驟之前執行的、在不供給所述原料氣體的情況下調整所述處理容器內的壓力的步驟，在所述成膜方法中，將包括供給所述原料氣體的步驟和供給所述反應氣體的步驟的循環執行多次，多次所述循環的至少一部分循環包括調整所述壓力的步驟。

發明的效果

根據本公開，能夠控制膜厚的面內分布。

附圖說明

圖1是表示一個實施方式的成膜裝置的結構例的概要圖。

圖2是表示一個實施方式的SiBN膜的形成方法的流程圖。

圖3是表示BN步驟的一例的流程圖。

圖4是表示SiN步驟的一例的流程圖。

圖5是表示SiN步驟的氣體供給序列的一例的圖。

圖6是表示實施例1的評價結果的圖。

圖7是表示實施例2的評價結果的圖。

圖8是表示實施例3的評價結果的圖。

圖9是用于說明膜厚的面內分布變化的機制的圖。

附圖標記說明

1：成膜裝置；10：處理容器；30：氣體供給部；40：排氣部；43：壓力調整閥；W：晶圓。

具體實施方式

下面，參照附圖來說明本公開的非限定性的例示的實施方式。在附圖中，對相同或對應的構件或部件標注相同或對應的參照標記，省略重復的說明。

〔成膜裝置〕

圖1是表示一個實施方式的成膜裝置的結構例的概要圖。如圖1所示，成膜裝置1具有處理容器10、氣體供給部30、排氣部40、加熱部50以及控制部80等。