[發明專利]成膜方法在審
| 申請號: | 202011489484.2 | 申請日: | 2020-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN113025996A | 公開(公告)日: | 2021-06-25 |
| 發明(設計)人: | 及川大海;高村侑矢 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/34;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 方法 | ||
1.一種成膜方法,包括以下步驟:
向處理容器內供給原料氣體的步驟;
向所述處理容器內供給與所述原料氣體發生反應的反應氣體的步驟;以及
在供給所述原料氣體的步驟之前執行的、在不供給所述原料氣體的情況下調整所述處理容器內的壓力的步驟,
在所述成膜方法中,將包括供給所述原料氣體的步驟和供給所述反應氣體的步驟的循環執行多次,
多次所述循環的至少一部分循環包括調整所述壓力的步驟。
2.根據權利要求1所述的成膜方法,其特征在于,
通過控制用于調整排氣流導的閥來進行調整所述壓力的步驟。
3.根據權利要求2所述的成膜方法,其特征在于,
調整所述壓力的步驟包括將所述閥的閥開度控制為與供給所述原料氣體的步驟中的所述閥的閥開度相同的閥開度的步驟。
4.根據權利要求2或3所述的成膜方法,其特征在于,
還包括在供給所述反應氣體的步驟之后且供給所述原料氣體的步驟之前執行的、通過向所述處理容器內供給吹掃氣體來對殘留于所述處理容器內的所述反應氣體進行吹掃的步驟,
調整所述壓力的步驟包括將所述閥的閥開度控制為比吹掃所述反應氣體的步驟中的所述閥的閥開度小的閥開度的步驟。
5.根據權利要求1至4中的任一項所述的成膜方法,其特征在于,
還包括在供給所述原料氣體的步驟之后且供給所述反應氣體的步驟之前執行的、通過向所述處理容器內供給吹掃氣體來對殘留于所述處理容器內的所述原料氣體進行吹掃的步驟。
6.根據權利要求1至5中的任一項所述的成膜方法,其特征在于,
多次所述循環的所有循環都包括調整所述壓力的步驟。
7.根據權利要求1至6中的任一項所述的成膜方法,其特征在于,
在所述處理容器內收容基板,從所述基板的周圍供給所述原料氣體。
8.根據權利要求1至7中的任一項所述的成膜方法,其特征在于,
將所述原料氣體在緩沖罐內升壓后供給至所述處理容器內。
9.根據權利要求1至8中的任一項所述的成膜方法,其特征在于,
所述處理容器能夠收容基板保持器具,該基板保持器具將多個基板以在上下方向上具有間隔的方式大致水平地保持。
10.根據權利要求1至9中的任一項所述的成膜方法,其特征在于,
所述原料氣體為氨基硅烷系氣體,
所述反應氣體為氮化氣體。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





