[發明專利]一種光刻機靜電消除裝置在審
| 申請號: | 202011488399.4 | 申請日: | 2020-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN112490166A | 公開(公告)日: | 2021-03-12 |
| 發明(設計)人: | 鐘敏 | 申請(專利權)人: | 上海圖雙精密裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/027;H05F3/00 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 黨蕾 |
| 地址: | 201712 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光刻 靜電 消除 裝置 | ||
本發明公開了一種光刻機靜電消除裝置,屬于半導體靜電消除領域,應用于晶圓傳輸過程中去除晶圓表面的靜電,包括:預對準機構,預對準機構具有一預對準臺;傳輸通道,傳輸通道內設有一導軌,導軌的一端固定連接于預對準臺的一側;晶圓傳輸載臺,晶圓傳輸載臺設置于導軌上,用于放置晶圓,并沿著導軌的方向傳輸;工作臺,設置于傳輸通道的上方;靜電消除裝置,固定設置于工作臺上,且位于傳輸通道的下方。本技術方案具有如下優點或有益效果:通過將靜電消除裝置設置于光刻機的工作臺上,且靜電消除裝置位于晶圓傳輸載臺的上方,在晶圓傳輸過程中,去除晶圓表面的靜電,避免忘記去除靜電,導致晶圓表面損壞,以提高晶圓的成品率。
技術領域
本發明涉及半導體靜電消除領域,尤其涉及一種光刻機靜電消除裝置。
背景技術
光刻是半導體集成電路制造的常用工藝。光刻工藝過程中,顯影劑等化學溶劑或者清洗時的純水與旋轉的晶圓表面發生摩擦時,會產生靜電放電現象,使得電荷積聚并遺留在半導體晶圓的表面,后續濕法工藝中引起局部強烈的電化學反應,在晶圓表面造成損傷,從而導致成品率降低或者可靠性風險。
現有技術中通常是在晶圓進入傳輸通道之前,退出傳輸通道之后采用靜電消除裝置消除晶圓表面的靜電,這種方法需要依賴于操作人員按照規范操作,可能會由于疏忽而導致發生危險,因此亟需提出一種光刻機靜電消除裝置,來克服現有技術中出現的上述問題。
發明內容
針對現有技術中存在的上述問題,現提供一種光刻機靜電消除裝置,具體技術方案如下所示:
一種光刻機靜電消除裝置,應用于晶圓傳輸過程中去除所述晶圓表面的靜電,包括:
一預對準機構,所述預對準機構具有一預對準臺,用于對所述晶圓進行預對準;
一傳輸通道,所述傳輸通道內設有一導軌,所述導軌的一端固定連接于所述預對準臺的一側;
一晶圓傳輸載臺,所述晶圓傳輸載臺設置于所述導軌上,用于放置所述晶圓,并沿著所述導軌的方向傳輸;
一工作臺,設置于所述傳輸通道的上方;
一靜電消除裝置,固定設置于所述工作臺上,且位于所述傳輸通道的下方,于所述晶圓沿著所述導軌傳輸時,消除所述晶圓表面的靜電。
優選地,所述靜電消除裝置包括一固定支架和離子棒,所述離子棒固定安裝于所述固定支架上。
優選地,所述固定支架呈L形。
優選地,所述固定支架上設有多個呈間隔分布的安裝孔,所述離子棒固定安裝于所述安裝孔中。
優選地,所述離子棒包括離子針和銅管,所述離子針鑲嵌入所述銅管內;
所述離子針上設有多個孔洞,所述孔洞均勻分布在所述離子針上。
優選地,所述孔洞面向所述固定支架設置。
優選地,所述靜電消除裝置設置于所述工作臺的上表面,或嵌入于所述工作臺的容納腔中。
優選地,所述靜電消除裝置采用靜電消除器實現。
優選地,所述靜電消除裝置設有2個,2個所述靜電消除裝置間隔設置于所述傳輸通道的正上方。
優選地,所述靜電消除裝置與所述晶圓相隔一預設距離。
本技術方案具有如下優點或有益效果:
本發明通過將靜電消除裝置設置于光刻機的工作臺上,且靜電消除裝置位于晶圓傳輸載臺的上方,在晶圓傳輸過程中,去除晶圓表面的靜電,避免忘記去除靜電,導致晶圓表面損壞,以提高晶圓的成品率。
附圖說明
圖1為本發明一種光刻機靜電消除裝置的結構示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





