[發(fā)明專利]一種多電壓電源調(diào)制芯片

在審

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• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號(hào): CN112799020A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王馳
• 申請（專利權(quán)）人: 北京無線電測量研究所
• 主分類號(hào): G01S7/02
• 分類號(hào): G01S7/02;H03F3/20
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 毛唯鳴

1.一種多電壓電源調(diào)制芯片，其特征在于，包括：

第一TTL信號(hào)連接高壓模塊輸入端和5V電壓電源模塊輸入端；

第二TTL信號(hào)連接5V電壓模塊輸入端；

第一柵壓偏置信號(hào)連接負(fù)壓模塊輸入端；

第二柵壓偏置信號(hào)連接負(fù)壓模塊另一個(gè)輸入端；

通過數(shù)字編程第一柵壓偏置信號(hào)和第二柵壓偏置信號(hào)輸入負(fù)壓模塊，輸出砷化鎵放大器或氮化鎵放大器驅(qū)動(dòng)電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述高壓模塊包括：高壓VDMOS柵極電源調(diào)制模塊、高壓調(diào)制與PD端延時(shí)控制模塊和高壓VDMOS漏極電壓泄放模塊；其中，第二TTL信號(hào)輸入高壓調(diào)制與PD端延時(shí)控制模塊，其輸出端連接高壓VDMOS柵極電源調(diào)制模塊和高壓VDMOS漏極電壓泄放模塊；

高壓VDMOS漏極電壓泄放模塊，其輸出端PD端用于接VDMOS漏極，當(dāng)高壓調(diào)制使VDMOS關(guān)斷時(shí)，該端口提供從VDMOS漏極到地的泄放通道，使積累在GaN功放的電荷迅速泄放掉。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述負(fù)壓模塊包括：

第一柵壓控制模塊、第二柵壓控制模塊、片內(nèi)負(fù)壓基準(zhǔn)電源、第一AB類軌到軌運(yùn)放和第二AB類軌到軌運(yùn)放；其中，

所述第一柵壓偏置信號(hào)輸入所述第一柵壓控制模塊，所述第一柵壓控制模塊控制所述第一AB類軌到軌運(yùn)放輸出砷化鎵放大器或氮化鎵放大器驅(qū)動(dòng)電壓；

所述第二柵壓偏置信號(hào)輸入所述第二柵壓控制模塊，所述第二柵壓控制模塊控制所述第二AB類軌到軌運(yùn)放輸出砷化鎵放大器或氮化鎵放大器驅(qū)動(dòng)電壓；

所述片內(nèi)負(fù)壓基準(zhǔn)電源模塊一個(gè)輸出端連接所述第一柵壓控制模塊，另一個(gè)輸出端連接所述第二柵壓控制模塊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述5V電壓模塊包括：5V驅(qū)放調(diào)制和低噪放調(diào)制；其中，

所述5V驅(qū)放調(diào)制輸入端連接所述第二TTL信號(hào)；

所述低噪放調(diào)制輸入端連接所述第一TTL信號(hào)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片還包括負(fù)壓監(jiān)測控制模塊，與高壓VDMOS柵極電源調(diào)制相連接，發(fā)生掉電故障時(shí)，高壓調(diào)制輸出恒高，后級(jí)VDMOS處于關(guān)斷狀態(tài)，功放不導(dǎo)通。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片，其特征在于，所述第一TTL信號(hào)為T/R組件的接收時(shí)序信號(hào)，當(dāng)所述第一TTL信號(hào)為低電平時(shí)，低噪放正常工作，T/R組件處于接收狀態(tài)；所述第二TTL信號(hào)為T/R組件的發(fā)射時(shí)序信號(hào)，當(dāng)所述第二TTL信號(hào)為高電平時(shí)，驅(qū)放和GaN功放正常工作，T/R組件處于發(fā)射狀態(tài)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片還包括過溫檢測模塊，該芯片溫度過高時(shí)輸出相應(yīng)的控制信號(hào)。