[發明專利]一種多電壓電源調制芯片

在審

• 申請號: 202011488129.3
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN112799020A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 王馳
• 申請（專利權）人: 北京無線電測量研究所
• 主分類號: G01S7/02
• 分類號: G01S7/02;H03F3/20
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 毛唯鳴

本發明的實施例公開一種多電壓電源調制芯片，包括：第一TTL信號連接高壓模塊輸入端和5V電壓電源模塊輸入端；第二TTL信號連接5V電壓模塊輸入端；第一柵壓偏置信號連接負壓模塊輸入端；第二柵壓偏置信號連接負壓模塊另一個輸入端；通過數字編程第一柵壓偏置信號和第二柵壓偏置信號輸入負壓模塊，輸出砷化鎵放大器或氮化鎵放大器驅動電壓。本發明模擬輸出端口外的所有節點都置于芯片內部，既增加了集成度，又降低了環境信號的干擾。此外，本發明采用了使用數字編程來控制柵壓偏置端口的方式，使得該端口既可以輸出砷化鎵偏置信號，又可以輸出氮化鎵偏置信號。

技術領域

本發明涉及雷達T/R組件電源調制領域。更具體地，涉及一種多電壓電源調制芯片。

背景技術

當前的TR組件電源控制芯片通常采用片上模擬輸出再經過運算放大器的方式輸出柵壓偏置信號。這種方式通常只能選擇性地驅動砷化鎵放大器或氮化鎵放大器，而且存在由于片外引腳引入的自激風險。

發明內容

有鑒于此，本發明一個實施例提供一種多電壓電源調制芯片，包括：

第一TTL信號連接高壓模塊輸入端和5V電壓電源模塊輸入端；

TTL信號為0到5V的數字信號；

高壓模塊的輸入為TTL信號，輸出為18到28V的高壓信號；

電壓電源模塊的輸入為TTL信號，輸出為0到5V的電源信號；

第二TTL信號連接5V電壓模塊輸入端；

電壓電源模塊的輸入為TTL信號，輸出為0到5V的電源信號；

第一柵壓偏置信號連接負壓模塊輸入端；

第二柵壓偏置信號連接負壓模塊另一個輸入端；

通過數字編程第一柵壓偏置信號和第二柵壓偏置信號輸入負壓模塊，輸出砷化鎵放大器或氮化鎵放大器驅動電壓。

在一個具體實施例中，所述高壓模塊包括：高壓VDMOS柵極電源調制模塊、高壓調制與PD端延時控制模塊和高壓VDMOS漏極電壓泄放模塊；其中，第二TTL信號輸入高壓調制與PD端延時控制模塊，其輸出端連接高壓VDMOS柵極電源調制模塊和高壓VDMOS漏極電壓泄放模塊；

高壓VDMOS漏極電壓泄放模塊，其輸出端PD端用于接VDMOS漏極，當高壓調制使VDMOS關斷時，該端口提供從VDMOS漏極到地的泄放通道，使積累在GaN功放的電荷迅速泄放掉。

在一個具體實施例中，所述負壓模塊包括：

第一柵壓控制模塊、第二柵壓控制模塊、片內負壓基準電源、第一AB類軌到軌運放和第二AB類軌到軌運放；其中，

所述第一柵壓偏置信號輸入所述第一柵壓控制模塊，所述第一柵壓控制模塊控制所述第一AB類軌到軌運放輸出砷化鎵放大器或氮化鎵放大器驅動電壓；

所述第二柵壓偏置信號輸入所述第二柵壓控制模塊，所述第二柵壓控制模塊控制所述第二AB類軌到軌運放輸出砷化鎵放大器或氮化鎵放大器驅動電壓；

所述片內負壓基準電源模塊一個輸出端連接所述第一柵壓控制模塊，另一個輸出端連接所述第二柵壓控制模塊。

在一個具體實施例中，所述5V電壓模塊包括：5V驅放調制和低噪放調制；其中，

所述5V驅放調制輸入端連接所述第二TTL信號；

所述低噪放調制輸入端連接所述第一TTL信號。

在一個具體實施例中，所述芯片還包括負壓監測控制模塊，與高壓VDMOS柵極電源調制相連接，發生掉電故障時，高壓調制輸出恒高，后級VDMOS處于關斷狀態，功放不導通。