[發明專利]一種光刻膠去膠液及其制備方法和應用在審
| 申請號: | 202011486530.3 | 申請日: | 2020-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN112540515A | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發明(設計)人: | 梁豹;方磊;杜冰;劉文永;邱柱;劉偉;張茂;張兵;趙建龍;向文勝;朱坤;陸蘭 | 申請(專利權)人: | 江蘇艾森半導體材料股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/32 | 分類號: | G03F7/32 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 鞏克棟 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光刻 膠去膠液 及其 制備 方法 應用 | ||
本發明提供了一種光刻膠去膠液及其制備方法和應用,所述光刻膠去膠液以重量份數計包括氫氧化季銨0.5?10份、有機溶劑65?85份、有機醇胺1?20份、有機醇0.1?5份、金屬保護劑0.01?5份和阻蝕劑0.1?5份。本發明提供的光刻膠去膠液去膠速度快、去膠能力強,在較低溫度都能保持去膠性能,而且降低了對金屬、硅、氧化硅、鈍化等各種底材的腐蝕,延長了工作時間,水溶性好,容易清洗。
技術領域
本發明屬于半導體制造領域,具體涉及一種光刻膠去膠液及其制備方法和應用,尤其涉及一種去膠能力強的光刻膠去膠液及其制備方法和應用。
背景技術
光刻膠也稱為光致抗蝕劑,是一種不導電的光敏材料,它通過受到光照后特性會發生改變的原理將光刻掩膜版上的圖形轉移到晶圓片上。顯影過后未固化的光刻膠需要用去膠液洗掉,暴露出底材再進行相應的蝕刻。目前市場上大部分去膠液存在去膠速度慢、有膠殘留、長時間工作后腐蝕金屬或傷鈍化層的問題。
CN107577121A公開了一種光刻膠去膠液,其配方包括:1-30wt%醇類,0.1-10wt%有機醇胺,0.1-5wt%季銨堿,60-90wt%極性非質子有機溶劑以及補足余量的去離子水。該發明的光刻膠去膠液不僅大大提高了去膠速度及去膠能力,而且降低了對金屬、鈍化層、氧化硅等各種底材的腐蝕;水溶性比較好,去膠過后容易清洗。但其組成中沒有阻蝕劑和金屬保護劑,對底材仍存在一定腐蝕。
CN107346095A公開了一種半導體制程正性光刻膠去膠液,包含鏈烷醇胺、金屬緩蝕劑、與水混溶的極性有機溶劑、添加劑和水,添加劑為低碳硝基烷烴及其衍生物,低碳硝基烷烴的碳原子數為1-3。該半導體制程正性光刻膠去膠液可以快速去除正性光刻膠層,且去膠液中光刻膠的溶解度增加,處理后的半導體表面無光刻膠殘留,且對光刻膠下方的鋁層或銅層或銅鋁合金層沒有腐蝕。
目前市場上的去膠液存在著去膠速度慢、有膠殘留、腐蝕金屬的問題。因此,如何提供一種去膠速度快、無殘留、不腐蝕金屬的去膠液,成為了亟待解決的問題。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明的目的在于提供一種光刻膠去膠液及其制備方法和應用,尤其提供一種去膠能力強的光刻膠去膠液及其制備方法和應用。本發明提供的光刻膠去膠液去膠速度快、去膠能力強,在較低溫度都能保持去膠性能,而且降低了對金屬、硅、氧化硅、鈍化等各種底材的腐蝕,延長了工作時間,水溶性好,容易清洗。
為達到此發明目的,本發明采用以下技術方案:
第一方面,本發明提供了一種光刻膠去膠液,所述光刻膠去膠液以重量份數計包括氫氧化季銨0.5-10份、有機溶劑65-85份、有機醇胺1-20份、有機醇0.1-5份、金屬保護劑0.01-5份和阻蝕劑0.1-5份。
其中,氫氧化季銨的份數可以是0.5份、1份、2份、3份、4份、5份、6份、7份、8份、9份或10份等,有機溶劑的份數可以是65份、66份、67份、68份、69份、70份、71份、72份、73份、74份、75份、76份、77份、78份、79份、80份、81份、82份、83份、84份或85份等,有機醇胺的份數可以是1份、3份、5份、7份、9份、11份、13份、15份、17份或20份等,有機醇的份數可以是0.1份、0.2份、0.3份、0.5份、1份、2份、3份、4份或5份等,金屬保護劑的份數可以是0.01份、0.02份、0.03份、0.05份、0.1份、0.2份、0.3份、0.5份、1份、2份、3份、4份或5份等,阻蝕劑的份數可以是0.1份、0.2份、0.3份、0.5份、1份、2份、3份、4份或5份等,但不限于以上所列舉的數值,上述數值范圍內其他未列舉的數值同樣適用。
上述特定配比的光刻膠去膠液通過利用金屬保護劑以及金屬保護劑和阻蝕劑的協同作用降低了所述光刻膠去膠液對基材的腐蝕,延長了工作時間;同時具有較塊去膠速度及較強去膠能力,在較低溫度都能保持去膠性能,水溶性好,容易清洗。
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