[發明專利]圖像傳感器的版圖結構

在審

• 申請號: 202011486085.0
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN112614861A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 鄭劍鋒;王明;梅翠玉
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L27/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發明提供了一種圖像傳感器的版圖結構，包括：阱區，呈十字形以劃分出4個子區域；若干像素區域，每個所述像素區域包括4個沿所述像素區域的中心旋轉對稱的子像素區域，4個所述子像素區域分別位于一個所述子區域內，每個所述子像素區域呈凹字形且凹陷處為淺溝槽結構區域，所述淺溝槽結構區域將所述子像素區域分隔為光電二極管區域及晶體管區域，所述晶體管區域位于所述光電二極管區域的外圍。本發明解決了現有技術中圖像傳感器的像素區域中的暗電流的問題。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種圖像傳感器的版圖結構。

背景技術

圖像傳感器廣泛應用于手機攝像、工業檢測、安防等領域，而暗電流限制了圖像傳感器的光學性能，造成更大的噪聲。光電二極管作為光電轉換器件，可應用于圖像傳感器中，圖像傳感器的基本單元稱為像素，一個像素由1個光電二極管和3個或4個晶體管構成，3個或4個晶體管稱為3T管或4T管，簡稱為3T類型或4T類型的圖像傳感器。其中，光電二極管用于將光信號轉換成相應的電流信號，而晶體管用于讀取光電二極管轉換的電流信號。

在現有技術中，圖像傳感器具有若干像素區域，每個像素區域具有若干子像素區域，暗電流主要的來源是子像素區域之間或子像素區域中的光電二極管區域與晶體管區域的淺溝槽隔離工藝引發缺陷，淺溝槽結構是對不同的子像素區域進行隔離以減少串擾，光電二極管區域與晶體管區域的淺溝槽結構是防止噪聲干擾，若淺溝槽側壁有缺陷會產生隔離問題導致暗電流，且使用淺溝槽結構的面積較大。

發明內容

本發明的目的在于提供一種圖像傳感器的版圖結構，以解決現有技術中圖像傳感器的像素區域中的暗電流的問題。

為了達到上述目的，本發明提供了一種圖像傳感器的版圖結構，包括：

阱區，呈十字形以劃分出4個子區域；

若干像素區域，每個所述像素區域包括4個沿所述像素區域的中心旋轉對稱的子像素區域，4個所述子像素區域分別位于一個所述子區域內，每個所述子像素區域呈凹字形且凹陷處為淺溝槽結構區域，所述淺溝槽結構區域將所述子像素區域分隔為光電二極管區域及晶體管區域，所述晶體管區域位于所述光電二極管區域的外圍。

可選的，所述阱區包括橫向的第一阱區及豎向的第二阱區，所述第一阱區和所述第二阱區交叉構成十字形，所述第一阱區的兩端接觸所述淺溝槽結構區域，所述第二阱區貫穿所述子像素區域。

可選的，所述光電二極管區域的相鄰兩邊與所述阱區接觸。

可選的，所述阱區的摻雜類型為P型摻雜或N型摻雜。

可選的，豎向相鄰的兩個所述子像素區域的淺溝槽結構區域連通。

可選的，所述淺溝槽結構區域將豎向相鄰的兩個所述晶體管區域隔開。

可選的，所述晶體管區域與所述光電二極管區域連通。

可選的，所述晶體管區域中形成有3個晶體管或4個晶體管，所述光電二極管區域中形成有一個光電二極管。

可選的，所述晶體管區域中的其中一個所述晶體管與所述光電二極管連接。

可選的，所述晶體管為MOS管。