[發明專利]圖像傳感器的版圖結構在審
| 申請號： | 202011486085.0 | 申請日： | 2020-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN112614861A | 公開（公告）日： | 2021-04-06 |
| 發明（設計）人： | 鄭劍鋒;王明;梅翠玉 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖像傳感器 版圖 結構 | ||
1.一種圖像傳感器的版圖結構，其特征在于，包括：
阱區，呈十字形以劃分出4個子區域；
若干像素區域，每個所述像素區域包括4個沿所述像素區域的中心旋轉對稱的子像素區域，4個所述子像素區域分別位于一個所述子區域內，每個所述子像素區域呈凹字形且凹陷處為淺溝槽結構區域，所述淺溝槽結構區域將所述子像素區域分隔為光電二極管區域及晶體管區域，所述晶體管區域位于所述光電二極管區域的外圍。
2.如權利要求1所述的圖像傳感器的版圖結構，其特征在于，所述阱區包括橫向的第一阱區及豎向的第二阱區，所述第一阱區和所述第二阱區交叉構成十字形，所述第一阱區的兩端接觸所述淺溝槽結構區域，所述第二阱區貫穿所述子像素區域。
3.如權利要求2所述的圖像傳感器的版圖結構，其特征在于，所述光電二極管區域的相鄰兩邊與所述阱區接觸。
4.如權利要求3所述的圖像傳感器的版圖結構，其特征在于，所述阱區的摻雜類型為P型摻雜或N型摻雜。
5.如權利要求1所述的圖像傳感器的版圖結構，其特征在于，豎向相鄰的兩個所述子像素區域的淺溝槽結構區域連通。
6.如權利要求1所述的圖像傳感器的版圖結構，其特征在于，所述淺溝槽結構區域將豎向相鄰的兩個所述晶體管區域隔開。
7.如權利要求1所述的圖像傳感器的版圖結構，其特征在于，所述晶體管區域與所述光電二極管區域連通。
8.如權利要求7所述的圖像傳感器的版圖結構，其特征在于，所述晶體管區域中形成有3個晶體管或4個晶體管，所述光電二極管區域中形成有一個光電二極管。
9.如權利要求8所述的圖像傳感器的版圖結構，其特征在于，所述晶體管區域中的其中一個所述晶體管與所述光電二極管連接。
10.如權利要求9所述的圖像傳感器的版圖結構，其特征在于，所述晶體管為MOS管。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力微電子有限公司，未經上海華力微電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011486085.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：垂直柵半導體器件的制備方法
- 下一篇：掩模版及其制備方法、光刻機
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
