[發明專利]垂直柵半導體器件的制備方法在審
| 申請號： | 202011486084.6 | 申請日： | 2020-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN112614860A | 公開（公告）日： | 2021-04-06 |
| 發明（設計）人： | 陳彩云;張磊;顧珍;董立群;王奇偉;陳昊瑜 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 垂直 半導體器件 制備 方法 | ||
1.一種垂直柵半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：
提供襯底，在所述襯底中形成溝槽，所述溝槽限定出光電二極管區和浮動擴散區；
在所述溝槽中形成第一多晶硅層，所述第一多晶硅層覆蓋所述溝槽的內壁并延伸覆蓋所述襯底的表面；
對所述第一多晶硅層進行第一離子注入工藝；
在所述溝槽中形成第二多晶硅層，所述第二多晶硅層填充所述溝槽并覆蓋所述第一多晶硅層；
對所述第二多晶硅層和所述第一多晶硅層進行第二離子注入工藝。
2.如權利要求1所述的垂直柵半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一多晶硅層的厚度為
3.如權利要求1或2所述的垂直柵半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第二多晶硅層的厚度為
4.如權利要求1所述的垂直柵半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一離子注入工藝和所述第二離子注入工藝注入的離子類型相同。
5.如權利要求4所述的垂直柵半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一離子注入工藝和所述第二離子注入工藝注入的離子類型均為N型或P型。
6.如權利要求1所述的垂直柵半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一離子注入工藝和所述第二離子注入工藝的離子注入濃度均為2×1015atoms/cm3～4×1015atoms/cm3。
7.如權利要求1所述的垂直柵半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一離子注入工藝的離子注入能量為1500eV～3000eV，所述第二離子注入工藝的離子注入能量為6000eV～9000eV。
8.如權利要求1所述的垂直柵半導體器件的制備方法，其特征在于，所述溝槽的深度為
9.如權利要求1所述的垂直柵半導體器件的制備方法，其特征在于，在所述溝槽中形成第一多晶硅層之前，還在所述溝槽中形成氧化層，所述氧化層覆蓋所述溝槽的內壁并延伸覆蓋所述襯底的表面。
10.如權利要求1所述的垂直柵半導體器件的制備方法，其特征在于，在對所述第二多晶硅層和所述第一多晶硅層進行第二離子注入工藝后，還對所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層進行退火，所述退火的溫度為700℃～1000℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
